浙江中科玖源新材料有限公司劉國隆獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江中科玖源新材料有限公司申請的專利一種高介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116284900B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202310075467.1，技術領域涉及：C08J5/18；該發(fā)明授權一種高介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法是由劉國隆;徐哲設計研發(fā)完成，并于2023-02-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提出了一種高介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法，所述高介電聚酰亞胺薄膜的制備方法包括：將二胺單體和二酐單體在極性溶劑中進行縮聚反應，得到聚酰胺酸溶液；將所述聚酰胺酸溶液與表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯混合，再進行熱亞胺化反應并成膜，即得到所述高介電聚酰亞胺薄膜。本發(fā)明提出的一種高介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法，通過在聚酰亞胺中引入表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯，使所得聚酰亞胺薄膜在獲得高介電常數的同時，還具有高擊穿強度和低介電損耗。
本發(fā)明授權一種高介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高介電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： S1、將二胺單體和二酐單體在極性溶劑中進行縮聚反應，得到聚酰胺酸溶液； S2、將步驟S1得到的聚酰胺酸溶液與表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯混合，再進行熱亞胺化反應并成膜，即得到所述高介電聚酰亞胺薄膜； 步驟S2中，所述表面接枝聚偏氟乙烯共聚物的石墨烯的用量是二胺單體和二酐單體總質量的1-10wt%； 所述表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯是通過下述方法制備而成： 將氧化石墨烯與羥基化二苯甲酮進行酯化縮合反應后，再進行還原，得到鍵合有二苯甲酮的石墨烯；將所得鍵合有二苯甲酮的石墨烯加入含雙鍵的聚偏氟乙烯溶液中，在紫外光條件下進行自由基聚合，即得到所述表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯； 所述含雙鍵的聚偏氟乙烯是通過將聚偏氟乙烯與有機堿進行加熱反應后得到；所述有機堿為四丁基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨或四甲基氫氧化銨中的至少一種。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江中科玖源新材料有限公司，其通訊地址為：321100 浙江省金華市蘭溪市蘭江街道蘭溪經濟開發(fā)區(qū)光膜小鎮(zhèn)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
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