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龍圖騰網(wǎng)獲悉成都森未科技有限公司申請(qǐng)的專利一種IGBT器件母排連接結(jié)構(gòu)及方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116047125B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310160352.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R1/04；該發(fā)明授權(quán)一種IGBT器件母排連接結(jié)構(gòu)及方法是由孫燥;李潤(rùn);何雨龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-02-23向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種IGBT器件母排連接結(jié)構(gòu)及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種IGBT器件母排連接結(jié)構(gòu)及方法。連接結(jié)構(gòu)至少包括短接塊和接觸彈簧；至少兩個(gè)接觸彈簧以分別貼合母排和測(cè)試夾具的方式減小或隔絕連接結(jié)構(gòu)中的雜散電感；其中，母排和測(cè)試夾具形成的電路回路在接觸彈簧的貼合下在平行疊層中連接。本發(fā)明通過設(shè)置的短接塊和接觸彈簧將電路回路在平行疊層連接，并且將電流傳感器羅氏線圈疊加，從而縮短電流回路長(zhǎng)度，以最小化回路長(zhǎng)度、最大限度地減小寄生電感以及盡可能地消除雜散磁場(chǎng)的方式來實(shí)現(xiàn)雜散電感的減少。雜散電感的減少能夠減小在IGBT器件中，較大didt關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的尖峰電壓，防止IGBT器件被擊穿，增加IGBT器件的使用壽命和開關(guān)損耗。較低的雜散電感還使得在IGBT器件動(dòng)態(tài)測(cè)試中測(cè)得的動(dòng)態(tài)參數(shù)更準(zhǔn)確。

本發(fā)明授權(quán)一種IGBT器件母排連接結(jié)構(gòu)及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種IGBT器件母排連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)包括上下兩個(gè)短接塊13和用于連通短接塊13的四個(gè)彼此分離設(shè)置的接觸彈簧14； 上下兩個(gè)短接塊13上的各兩個(gè)所述接觸彈簧14以分別貼合母排11和測(cè)試夾具16的方式減小或隔絕連接結(jié)構(gòu)中的雜散電感； 其中，所述母排11和測(cè)試夾具16形成的電路回路在所述接觸彈簧14的貼合下在平行疊層中連接，所述母排11和測(cè)試夾具16上分別設(shè)置有與所述接觸彈簧14匹配的接觸區(qū)17；其中， 四個(gè)所述接觸區(qū)17與四個(gè)所述接觸彈簧14以于豎向兩側(cè)分別夾持母排11和測(cè)試夾具16的方式形成所述平行疊層，所述平行疊層由上短接塊作為第一層、母排11和測(cè)試夾具16組成的第二層以及下短接塊作為第三層而復(fù)合形成。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人成都森未科技有限公司，其通訊地址為：610000 四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道北段1480號(hào)6棟4層401號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。