中國科學院上海技術物理研究所顧溢獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院上海技術物理研究所申請的專利圖形化襯底延伸波長InGaAs焦平面探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116230802B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310252945.1，技術領域涉及：H10F30/222；該發明授權圖形化襯底延伸波長InGaAs焦平面探測器及其制備方法是由顧溢;劉博文;于春蕾;邵秀梅;李雪;龔海梅設計研發完成，并于2023-03-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本圖形化襯底延伸波長InGaAs焦平面探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種圖形化襯底延伸波長InGaAs焦平面探測器及其制備方法。圖形化襯底的周期與焦平面探測器像元中心距相同，圖形化襯底凹槽和凸脊尺寸分別與像元和像元間隔或像元間隔和像元尺寸相同。在圖形化襯底上外延延伸波長InGaAs探測器材料結構，只在無SiNx介質層一上外延形成半導體單晶材料，對應焦平面探測器芯片像元區域，而后通過鈍化、金屬淀積、倒焊等工藝實現InGaAs焦平面探測器制備。本發明可以使晶格失配材料的位錯在圖形邊緣終止而不向上延伸，降低吸收層材料的位錯密度。圖形化襯底的周期和尺寸與焦平面芯片像元一致，減少了工藝復雜性，適用于大批量推廣。本發明還可以推廣到其他晶格失配材料體系的焦平面探測器制備，具有很好的通用性。
本發明授權圖形化襯底延伸波長InGaAs焦平面探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.圖形化襯底延伸波長InGaAs焦平面探測器，其結構為自上而下包括圖形化襯底1、SiNx介質層一2、半導體單晶材料3、半導體多晶或非晶材料4、SiNx介質層二5、接觸電極一6、接觸電極二7、互聯金屬8、Si讀出電路9，其特征在于： 所述圖形化襯底1的材料為InP，摻雜類型為N型或P型摻雜，所述的圖形化襯底1的周期與焦平面探測器像元中心距相同，周期為5-33μm，所述的圖形化襯底1包含兩種結構，一種是凹槽尺寸與像元尺寸相同，對應的凸脊尺寸與像元間隔尺寸相同，另一種是凸脊尺寸與像元尺寸相同，對應的凹槽尺寸與像元間隔尺寸相同，其中像元尺寸為4-30μm，像元間隔尺寸為1-3μm，凹槽深度為2-4μm。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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