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龍圖騰網獲悉鄭州方銘高溫陶瓷新材料有限公司申請的專利一種二氧化硅納米球形粉的電熔制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116605885B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310482229.2，技術領域涉及：C01B33/18；該發明授權一種二氧化硅納米球形粉的電熔制備方法是由梁新星;張寧;劉小鋼;范崇方;劉亞龍;梁奇星;申偉峰;楊麗薩;吳亞輝;梁譯方;梁譯銘;梁家銘;梁煊爀設計研發完成，并于2023-04-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種二氧化硅納米球形粉的電熔制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種二氧化硅納米球形粉的電熔制備方法，屬于無機非金屬材料技術領域，采用優質石英為主原料，碳素材料和金屬硅為輔原料，按比例共同磨細成混合粉，混合粉經成球、干燥、過篩后投入電弧爐中，在高溫下金屬硅Si與石英SiO2發生反應生成SiO氣體，再升溫石英SiO2與C反應生成SiO氣體，SiO氣體從電弧爐里逸出并與空氣中的氧氣相遇生成納米球形的二氧化硅，使用組合式收集裝備將二氧化硅納米球形粉收集并放入密閉的塑料桶中。本方法制備的二氧化硅微粉純度高、分散性好、屬于納米級超細球形粉，能適應超大規模集成電路對封裝材料的要求。

本發明授權一種二氧化硅納米球形粉的電熔制備方法在權利要求書中公布了：1.一種二氧化硅納米球形粉的電熔制備方法，其特征在于，其包括如下步驟： 步驟一，共磨：分別取100重量份的優質石英粉，15-22重量份的碳素材料，以及0.5-10重量份的金屬硅粉，在磨機中共同磨細至100目以下，得到共磨混合料； 步驟二，圓盤造粒：將共磨混合料投入圓盤造粒機中，一邊噴膠水一邊滾動圓盤造粒，造粒成2-12mm的小球； 步驟三，烘球：將步驟二中造粒成的小球放入110℃的干燥箱中進行24小時干燥； 步驟四，篩球：將步驟三中干燥后的小球放入振動篩，篩掉小于2mm的小球及細粉； 步驟五，電熔氣化：將步驟四中過篩后得到的2-12mm干燥小球投入電弧爐中通電升溫，經過高溫化學反應生成SiO氣體，SiO氣體從電弧爐里逸出并在逸出過程中與空氣中的氧氣相遇生成納米球形的二氧化硅； 所述步驟五中電弧爐采用致密高功率電極，所述電極體積密度大于1.80gcm3，工作電壓為100-380V,工作電流為4-15kA；所述步驟五中電弧爐中通電升溫發生的高溫化學反應，是在溫度大于1400℃時金屬硅Si與石英的SiO2發生反應生成SiO氣體，活化了石英的晶格，繼續升溫至1765℃，活化石英的SiO2開始與C發生化學反應并加速生成SiO氣體，SiO氣體從電弧爐里逸出并在逸出過程中與空氣中的氧氣相遇生成納米球形的二氧化硅； 步驟六，收集：采用組合式收集裝備將二氧化硅納米球形粉收集并放入密閉的塑料桶中。

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