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龍圖騰網獲悉中國人民解放軍國防科技大學申請的專利一種基于柵極夾層結構的二維半導體晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117038716B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310862156.X，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權一種基于柵極夾層結構的二維半導體晶體管及其制備方法是由池雅慶;張振東;郭陽;陳小文;袁珩洲設計研發完成，并于2023-07-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于柵極夾層結構的二維半導體晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于柵極夾層結構的二維半導體晶體管及其制備方法，該晶體管包括由下至上依次布置的襯底、第一二維半導體層及第二二維半導體層，所述第一二維半導體層與第二二維半導體層之間沿水平方向依次布置有源極、柵極組件及漏極，所述第一二維半導體層與第二二維半導體層之間的其他區域填充有第一鈍化層；所述柵極組件包括由下至上依次布置的第一柵介質層、柵極及第二柵介質層；所述第二二維半導體層的上方填充有第二鈍化層。該制備方法用來制備上述晶體管。本發明具有結構簡單、制備方便、電學特性一致性更好等優點。

本發明授權一種基于柵極夾層結構的二維半導體晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于柵極夾層結構的二維半導體晶體管的制備方法，其特征在于，步驟包括： 步驟S1：在襯底（1）表面制備二維半導體層Ⅰ（201）； 步驟S2：在二維半導體層Ⅰ（201）上制備第一掩膜層（301），暴露無需二維半導體層的區域，并去除該區域的二維半導體層，形成第一二維半導體層（2）； 步驟S3：去除第一掩膜層（301），制備第二掩膜層（302），暴露第一柵介質層（3）、柵極（4）和第二柵介質層（8）所在區域； 步驟S4：制備第一介質層（401）； 步驟S5：制備第一金屬層（501）； 步驟S6：制備第二介質層（402），厚度不小于第一介質層（401）的厚度； 步驟S7：去除第二掩膜層（302），形成第一柵介質層（3）和柵極（4）； 步驟S8：制備第三掩膜層（303），暴露源極（5）和漏極（6）所在區域； 步驟S9：制備第二金屬層（502），高度應不低于第二介質層（402）； 步驟S10：去除第三掩膜層（303）； 步驟S11：制備鈍化層（601）： 步驟S12：對鈍化層（601）上表面拋光減薄，直至暴露第二金屬層（502）和第二介質層（402），且繼續拋光減薄，形成第一鈍化層（7）、第二柵介質層（8）、源極（5）和漏極（6）； 步驟S13：制備二維半導體層Ⅱ（202）； 步驟S14：在二維半導體層Ⅱ（202）上制備第四掩膜層（304），暴露無需二維半導體層的區域，并去除該區域的二維半導體層，形成第二二維半導體層（9）； 步驟S15：去除第四掩膜層（304）； 步驟S16：制備第二鈍化層（10），形成基于柵極夾層結構的二維半導體晶體管。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410073 湖南省長沙市開福區硯瓦池正街47號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。