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龍圖騰網獲悉中國科學院上海技術物理研究所申請的專利一種集成式動態調控高選擇比紅外偏振探測器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118448484B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410578628.3，技術領域涉及：H10F77/40；該發明授權一種集成式動態調控高選擇比紅外偏振探測器及制備方法是由周靖;代旭;陳效雙;余宇;葉韜;鄧杰;布勇浩;石夢蝶;王若文;崔天元;孫聊新;沈學礎設計研發完成，并于2024-05-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種集成式動態調控高選擇比紅外偏振探測器及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種集成式動態調控高選擇比紅外偏振探測器及制備方法，涉及光電技術領域，探測器包括：自下至上的襯底層、金屬反射層、電介質層以及電極層，還包括二維材料層；電極層包括源極、漏極、集成在源極的金屬二維超材料以及集成在漏極的金屬二維超材料；源極與漏極對稱設置，且源極與漏極之間設有溝道；二維材料層跨越溝道并電連接源極及漏極；當探測器工作在零偏壓狀態時，光響來自于源極及漏極與金屬二維超材料構成的肖特基結誘導的光熱電效應；通過金屬反射層配置源極及漏極的石墨烯的載流子濃度，在任一特定角度的線偏振光照射下，調控光電流的偏振消光比和方向。本發明實現了無窮高的消光比和任意偏振角度的0光電流響應。

本發明授權一種集成式動態調控高選擇比紅外偏振探測器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種集成式動態調控高選擇比紅外偏振探測器，其特征在于，所述集成式動態調控高選擇比紅外偏振探測器包括：自下至上的襯底層、金屬反射層、電介質層以及電極層；所述集成式動態調控高選擇比紅外偏振探測器還包括二維材料層，所述二維材料層設置在所述電極層上或所述電介質層與所述電極層之間； 所述電極層包括源極、漏極、集成在源極的金屬二維超材料以及集成在漏極的金屬二維超材料；所述源極與所述漏極對稱設置，且所述源極與所述漏極之間設有溝道；所述二維材料層跨越所述溝道并電連接所述源極及所述漏極；集成在源極的金屬二維超材料以及集成在漏極的金屬二維超材料為互為鏡像的金屬光柵天線陣列；金屬光柵天線陣列與一端的電極融合，每一根金屬柵條與其下方的介質間隔層、金屬底面共同構成光學微帶天線；其中，金屬柵條是金屬光柵天線陣列中的一個光柵；金屬柵條、介質間隔層、金屬底面三者組合形成索爾茲伯里屏模式的結構，當光學微帶天線與入射光發生共振時，在電介質層內產生增強的局域場，電介質層上方的二維材料會與局域光場發生強烈的相互作用，其吸收率會顯著增強； 當所述集成式動態調控高選擇比紅外偏振探測器工作在零偏壓狀態時，光響來自于所述源極及所述漏極與所述金屬二維超材料構成的肖特基結誘導的光熱電效應；通過所述金屬反射層配置所述源極及所述漏極的石墨烯的載流子濃度，在任一特定角度的線偏振光照射下，調控光電流的偏振消光比和方向；具體地，通過金屬反射層分別向源極和漏極施加柵壓以改變石墨烯的載流子濃度，正柵壓使溝道中的石墨烯的Seebeck系數減小，與金屬天線釘扎控制的石墨烯的Seebeck系數的差值增大，負柵壓使溝道中的石墨烯的Seebeck系數增大，與金屬天線釘扎控制的石墨烯的Seebeck系數的差值減小，進而改變石墨烯的載流子濃度；通過柵極調控使特定角度的光電流接近0，此時消光比接近無窮，當消光比為-1時，此時的光電流正比于S2。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院上海技術物理研究所，其通訊地址為：200083 上海市虹口區玉田路500號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。