華中科技大學(xué)梁琳獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學(xué)申請的專利一種壓接IGBT模塊結(jié)溫估計方法及裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN118914792B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202410972517.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01R31/26;該發(fā)明授權(quán)一種壓接IGBT模塊結(jié)溫估計方法及裝置是由梁琳;涂劉煜設(shè)計研發(fā)完成,并于2024-07-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種壓接IGBT模塊結(jié)溫估計方法及裝置在說明書摘要公布了:本申請屬于電子技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種壓接IGBT模塊結(jié)溫估計方法及裝置。本申請,通過根據(jù)壓接IGBT模塊中的壓接芯片搭配頂面外殼和底面外殼的熱傳導(dǎo)路徑,建立以頂面外殼的溫度為參考溫度的第一雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型以及以底面外殼為參考溫度的第二雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型。與相關(guān)技術(shù)中的結(jié)溫監(jiān)測方法如傳感器接觸測量、光學(xué)測量等難以對壓接IGBT芯片進(jìn)行結(jié)溫估計相比,本申請通過第一雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型和或第二雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型,便可以實(shí)現(xiàn)對壓接IGBT模塊中的壓接IGBT芯片進(jìn)行有效地結(jié)溫估計,降低了對IGBT芯片進(jìn)行結(jié)溫估計的測量難度。
本發(fā)明授權(quán)一種壓接IGBT模塊結(jié)溫估計方法及裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種壓接IGBT模塊結(jié)溫估計方法,其特征在于,包括: 根據(jù)壓接絕緣柵雙極型晶體管IGBT模塊中的第一熱阻分支和第二熱阻分支,確定第一雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型和第二雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型,所述第一熱阻分支用于表征壓接IGBT模塊中的壓接IGBT芯片到頂面外殼的熱傳導(dǎo)路徑,所述第二熱阻分支用于表征所述壓接IGBT芯片到底面外殼的熱傳導(dǎo)路徑,所述第一雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型為以所述頂面外殼的溫度為參考溫度對應(yīng)的雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型,所述第二雙面熱阻模型為以所述底面外殼的溫度為參考溫度對應(yīng)的雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型; 根據(jù)所述第一雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型和所述第二雙面熱阻網(wǎng)絡(luò)模型,對所述壓接IGBT芯片進(jìn)行結(jié)溫估計。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人華中科技大學(xué),其通訊地址為:430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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