長鑫科技集團股份有限公司肖德元獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫科技集團股份有限公司申請的專利一種三維半導體器件及其制備方法、電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119012712B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411075352.3，技術領域涉及：H10B63/10；該發明授權一種三維半導體器件及其制備方法、電子設備是由肖德元;孟皓設計研發完成，并于2024-08-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種三維半導體器件及其制備方法、電子設備在說明書摘要公布了：一種三維半導體器件及其制備方法、電子設備。該三維半導體器件包括具有陣列區域和接觸區域的襯底，交替布置的第一導電層和隔離層的堆疊層，第二導電層，第一可相變層，第二可相變層，以及第一接觸插塞。堆疊層位于襯底上，且從陣列區域延伸至接觸區域并在接觸區域具有臺階。第二導電層位于陣列區域且貫穿堆疊層。第一可相變層位于陣列區域且位于第一導電層和第二導電層之間，第二導電層貫穿第一可相變層，第一導電層環繞第一可相變層。第二可相變層位于接觸區域且連接第一導電層。第一接觸插塞位于接觸區域并連接第二可相變層。本公開實施例提供了一種基于相變存儲元件和選擇器的存儲單元的三維非易失性動態存取存儲器，改善器件性能。
本發明授權一種三維半導體器件及其制備方法、電子設備在權利要求書中公布了：1.一種三維半導體器件，其特征在于，包括： 襯底，包括陣列區域和所述陣列區域鄰接的接觸區域； 堆疊層，位于所述襯底上，且從所述陣列區域延伸至所述接觸區域，并在所述接觸區域具有臺階，所述堆疊層包括交替布置的第一導電層和隔離層； 第二導電層，位于所述陣列區域，且貫穿所述堆疊層； 第一可相變層，位于所述陣列區域，所述第一可相變層位于所述第一導電層和所述第二導電層之間，所述第二導電層貫穿所述第一可相變層，所述第一導電層環繞所述第一可相變層； 第二可相變層，位于所述接觸區域，且連接所述第一導電層； 第一接觸插塞，位于所述接觸區域，并連接所述第二可相變層; 所述第二可相變層、第一導電層、第一接觸插塞形成選擇器。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫科技集團股份有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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