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龍圖騰網獲悉電子科技大學申請的專利一種用于大功率TVS的封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119833498B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411879583.X，技術領域涉及：H01L23/48；該發明授權一種用于大功率TVS的封裝結構是由齊釗;李俊科;郝錦鵬;陳泓全;賈義睿;喬明;張波設計研發完成，并于2024-12-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于大功率TVS的封裝結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種用于大功率TVS的封裝結構，包括：基板材料；堆疊的各層芯片及其pad區；在各芯片層兩側邊緣的pad區內存在的使用TVS技術制造的通孔區；在底層芯片與基板間，以及各層芯片通孔層間，存在的用于形成電氣連接的層間焊球；在基板與第一芯片層間、各芯片層間存在的粘連各層芯片且提供支撐的膠體區；以及在基板與第一層焊球的接觸處存在的用于形成封裝后電極的電極區。本發明通過引入TSV技術，避免了傳統引線鍵合封裝模式帶來的封裝面積增大、器件可靠度下降等問題，進一步提升了在相同的封裝面積下堆疊更多層芯片的潛力。

本發明授權一種用于大功率TVS的封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種用于大功率TVS的封裝結構，其特征在于：包括TVS器件區01，陽極pad區02、陰極pad區03； Line1為垂直于芯片pad方向、連接陰極第四通孔區中心和陽極第四通孔區中心的連線；沿著Line1展開，得到該封裝器件的縱截面，包括： 基板801；基板801位于整個結構的最底部，用作為封裝的底座； 在基板801上堆疊了五層芯片，從下到上依次為芯片層A101、芯片層B102、芯片層C103、芯片層D104、芯片層E105； 在各芯片層兩側邊緣的pad區內存在使用TVS方法制造的通孔區，左側陽極通孔區和右側陰極通孔區，包括：芯片層A的陽極第四通孔區214和陰極第四通孔區414、芯片層B的陽極第四通孔區224和陰極第四通孔區424、芯片層C的陽極第四通孔區234和陰極第四通孔區434、芯片層D的陽極第四通孔區244和陰極第四通孔區444、芯片層E的陽極第四通孔區254和陰極第四通孔區454； 在各層芯片pad邊緣的通孔層間，存在與各層芯片通孔形成電氣連接的層間焊球，左側陽極焊球和右側陰極焊球，包括：芯片層A和基板之間的陽極第四焊球314，芯片層A和基板之間的陰極第四焊球514，芯片層B和芯片層A之間的陽極第四焊球324，芯片層B和芯片層A之間的陰極第四焊球524，芯片層C和芯片層B之間的陽極第四焊球334，芯片層C和芯片層B之間的陰極第四焊球534，芯片層D和芯片層C之間的陽極第四焊球344，芯片層D和芯片層C之間的陰極第四焊球544，芯片層E和芯片層D之間的陽極第四焊球354，芯片層E和芯片層D之間的陰極第四焊球554； 在基板801與第一芯片層101間、各芯片層間存在粘連各層芯片且提供支撐的膠體區，從下到上依次為第一層膠體區601至第五層膠體區605； 在芯片層A和基板之間的陽極第四焊球314與基板801接觸處存在一個用于形成封裝后電極的陽極電極區701，在芯片層A和基板之間的陰極第四焊球514與基板801接觸處存在一個用于形成封裝后電極的陰極電極區702。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新區(西區)西源大道2006號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。