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龍圖騰網獲悉深圳市中順半導體照明有限公司申請的專利一種高光效LED發光半導體及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119421576B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510019802.5，技術領域涉及：H10H20/851；該發明授權一種高光效LED發光半導體及其制備方法是由朱富斌;劉文軍;譚亮;鄧文峰;曾奎;李長根設計研發完成，并于2025-01-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高光效LED發光半導體及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于LED技術領域，解決現有技術中LED存在光效差的問題，提供了一種高光效LED發光半導體及其制備方法，其包括：激發芯片和熒光粉。所述熒光粉包括第一熒光粉、第二熒光粉和第三熒光粉，所述第一熒光粉的峰值波長位于第一波長區間內，所述第二熒光粉的峰值波長位于第二波長區間內，所述第三熒光粉的峰值波長位于第三波長區間內；所述第一波長區間為540?550nm，所述第二波長區間為625?635nm，所述第三波長區間為615?620nm；所述LED激發芯片的主波長位于第四波長區間，所述第四波長區間為440?470nm。本發明通過芯片和熒光粉的協同，使得獲得的LED發光半導體具有更高的光效和穩定性。

本發明授權一種高光效LED發光半導體及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高光效LED發光半導體的制備方法，其特征在于，所述高光效LED發光半導體包括： LED激發芯片； 熒光粉； 所述熒光粉包括第一熒光粉、第二熒光粉和第三熒光粉，所述第一熒光粉的峰值波長位于第一波長區間內，所述第二熒光粉的峰值波長位于第二波長區間內，所述第三熒光粉的峰值波長位于第三波長區間內；所述第一波長區間為545-556nm，所述第二波長區間為630-634nm，所述第三波長區間為615-617nm； 所述LED激發芯片的主波長位于第四波長區間，所述第四波長區間為440-470nm； 所述制備方法包括： 將按第一預設比例稱量的第一熒光粉、第二熒光粉和第三熒光粉置于攪拌容器中均勻混合，得到熒光粉混合物； 根據第二預設比例，將熒光粉混合物加入LED封裝膠中，繼續攪拌得到混合膠體； 響應于混合膠體的第一分光測試結果滿足第一預設條件，根據預設旋涂參數，將所述混合膠體均勻涂覆在所述LED激發芯片的表面，形成熒光涂層； 響應于熒光涂層的第二分光測試結果滿足第二預設條件，根據預設固化條件，將具有熒光涂層的LED激發芯片進行固化，得到初始發光半導體； 若所述初始發光半導體的第三分光測試結果不滿足預設成品分光條件，根據所述第一分光測試結果、第二分光測試結果以及第三分光測試結果，對所述第一預設比例、第二預設比例、所述預設旋涂參數和預設固化條件中的一種或多種進行調整； 若所述初始發光半導體的第三分光測試結果滿足預設成品分光條件，將所述初始發光半導體作為目標發光半導體。

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