深圳現(xiàn)象光伏科技有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳現(xiàn)象光伏科技有限公司申請的專利太陽能電池及其制備方法、光伏組件獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN120379446B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202510864406.2,技術領域涉及:H10K30/86;該發(fā)明授權太陽能電池及其制備方法、光伏組件是由請求不公布姓名設計研發(fā)完成,并于2025-06-26向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本太陽能電池及其制備方法、光伏組件在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件。上述太陽能電池包括基底、SAM空穴傳輸層、硅烷偶聯(lián)劑層、鈣鈦礦吸光層以及電極層。SAM空穴傳輸層設置在基底上。硅烷偶聯(lián)劑層設置在SAM空穴傳輸層上。鈣鈦礦吸光層設置在硅烷偶聯(lián)劑層上。電極層設置在鈣鈦礦吸光層上。上述太陽能電池在SAM空穴傳輸層上設置硅烷偶聯(lián)劑層,硅烷偶聯(lián)劑層能夠減少水分、氧氣等環(huán)境因素對SAM的影響,使SAM在較長時間的存放過程中不會發(fā)生明顯的分子重排或水解反應,減少SAM的水解、氧化和其他降解反應,從而防止太陽能電池的性能下降。
本發(fā)明授權太陽能電池及其制備方法、光伏組件在權利要求書中公布了:1.一種太陽能電池,其特征在于,包括: 基底; SAM空穴傳輸層,設置在所述基底上; 硅烷偶聯(lián)劑層,設置在所述SAM空穴傳輸層上; 鈣鈦礦吸光層,設置在所述硅烷偶聯(lián)劑層上;以及 電極層,設置在所述鈣鈦礦吸光層上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人深圳現(xiàn)象光伏科技有限公司,其通訊地址為:518053 廣東省深圳市南山區(qū)沙河街道香山街社區(qū)文昌南街9號東部工業(yè)區(qū)A2棟202;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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