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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種高頻響應(yīng)功率三極管的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120417409B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510928367.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D10/01；該發(fā)明授權(quán)一種高頻響應(yīng)功率三極管的制備方法是由馬奕勉設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種高頻響應(yīng)功率三極管的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種高頻響應(yīng)功率三極管的制備方法。首先，采用電阻率1000Ω·cm的N+硅襯底生長N?漂移層，通過ICP刻蝕深度12μm、深寬比5.9:1的隔離槽，填充SiO2Si3N4復(fù)合介質(zhì)層擴(kuò)展耗盡層至18.5μm，使集電結(jié)電容降至68pF且擊穿電壓達(dá)205V。其次，在正面形成叉指發(fā)射極，背面減薄至100±2μm后激光鉆孔，脈沖電鍍銅填充通孔，銅柱陣列將回路電感壓縮至2.7nH。最后，濺射TiNiAu過渡層，熱壓鍵合金剛石?銅復(fù)合基板，界面形成80nmTiC相，熱導(dǎo)率達(dá)635Wm·K，熱阻降至0.61KW。本發(fā)明優(yōu)化電容、電感、熱阻，開關(guān)損耗降低57.8%，功率密度提升至51.2Wcm2，適用于MHz級高頻功率系統(tǒng)。

本發(fā)明授權(quán)一種高頻響應(yīng)功率三極管的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高頻響應(yīng)功率三極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、采用電阻率＞1000Ω·cm的N+型硅襯底，厚度：600-700μm，在襯底正面生長N-型漂移層，厚度：9.7-10.3μm，摻雜濃度：4.8-5.2×1014cm-3）； 通過ICP刻蝕形成深度11.5-12.5μm、深寬比5.9：1的隔離槽，槽內(nèi)填充SiO2Si3N4復(fù)合介質(zhì)層，厚度比2：1； S2、在器件正面形成叉指狀發(fā)射極金屬層，指寬：9.8-10.2μm，間距：14.7-15.3μm； 背面減薄至98-102μm后，激光鉆孔形成直徑9.7-10.3μm的通孔陣列，孔密度：380-420孔mm2； 脈沖電鍍銅填充通孔形成銅柱，電鍍液含聚乙二醇和二硫二丙烷磺酸鈉； S3、在銅柱表面濺射TiNiAu過渡層； 熱壓鍵合金剛石-銅復(fù)合散熱襯底，金剛石體積分?jǐn)?shù)：52-58%，金剛石表面濺射TiMo金屬化層，鍵合溫度：445-455℃，壓力：1.5-15.5MPa。

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