芯天下技術股份有限公司鮑奇兵獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉芯天下技術股份有限公司申請的專利提高NOR FLASH數據保持能力的方法及相關設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120452514B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510967839.0,技術領域涉及:G11C29/00;該發明授權提高NOR FLASH數據保持能力的方法及相關設備是由鮑奇兵;溫靖康;王振彪設計研發完成,并于2025-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本提高NOR FLASH數據保持能力的方法及相關設備在說明書摘要公布了:本發明涉及閃存技術領域,具體公開了一種提高NORFLASH數據保持能力的方法及相關設備,其中,方法包括步驟:S1、在NORFLASH工作過程中,基于預設定時周期性觸發數據保持能力的檢測及修復操作,數據保持能力的檢測及修復操作包括:第一次讀取、第二次讀取和編程修復;在數據保持能力的檢測及修復操作的過程中,若獲取到客戶操作指令,則中止數據保持能力的檢測及修復操作以執行客戶操作指令;該方法實現了在NORFLASH長期工作下對數據保持能力的持續檢測和修復,并避免了傳統方法中上電后一次性全芯片掃描帶來的長時間等待,還能優先響應客戶請求,解決了維護過程阻塞客戶訪問的問題。
本發明授權提高NOR FLASH數據保持能力的方法及相關設備在權利要求書中公布了:1.一種提高NORFLASH數據保持能力的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟: S1、在NORFLASH工作過程中,基于預設定時周期性觸發數據保持能力的檢測及修復操作,所述數據保持能力的檢測及修復操作包括: A1、對NORFLASH的存儲陣列進行第一次讀取,以篩選獲取數據為0的存儲單元,所述第一次讀取的操作條件包括:對操作對象的柵極和源極分別施加6V和0V電壓; A2、對數據為0的存儲單元進行第二次讀取,以篩選獲取需要修復的存儲單元,所述第二次讀取的操作條件包括:對操作對象的柵極和源極分別施加6V和-1V電壓; A3、對需要修復的存儲單元進行編程修復,所述編程修復的操作條件包括:對操作對象的柵極和源極分別施加6V和-3V電壓; S2、在數據保持能力的檢測及修復操作的過程中,若獲取到客戶操作指令,則中止所述數據保持能力的檢測及修復操作以執行所述客戶操作指令。
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