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龍圖騰網(wǎng)獲悉西北工業(yè)大學(xué)申請(qǐng)的專利基于多場(chǎng)輔助及高熵中間層的IC21單晶高溫合金擴(kuò)散焊方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120438792B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510962541.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B23K20/02；該發(fā)明授權(quán)基于多場(chǎng)輔助及高熵中間層的IC21單晶高溫合金擴(kuò)散焊方法是由郭偉;信敬如;黎炳蔚;李欣榮;丁鑫磊;樊佩隴;陶鉑松設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基于多場(chǎng)輔助及高熵中間層的IC21單晶高溫合金擴(kuò)散焊方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了基于多場(chǎng)輔助及高熵中間層的IC21單晶高溫合金擴(kuò)散焊方法，屬于焊接技術(shù)領(lǐng)域；本發(fā)明采用由Ni35%、Cr22%、Al20%、Re7%、Ta5%、Y2%、Si7.5%、B1.5%組成的納米高熵中間層箔材，置于上下兩層IC21單晶高溫合金中間，通過引入超聲振動(dòng)場(chǎng)、脈沖磁場(chǎng)與電場(chǎng)的多場(chǎng)耦合作用在真空擴(kuò)散焊接爐中進(jìn)行液相擴(kuò)散焊接，多場(chǎng)耦合通過時(shí)空協(xié)同實(shí)現(xiàn)能量場(chǎng)疊加，超聲振動(dòng)場(chǎng)的脈沖頻率與磁場(chǎng)交變頻率相位匹配；電場(chǎng)打開擴(kuò)散通道，超聲振動(dòng)場(chǎng)?脈沖磁場(chǎng)中期疊加實(shí)現(xiàn)枝晶調(diào)控與缺陷修復(fù)，最終實(shí)現(xiàn)液態(tài)薄膜的定向遷移與枝晶偏析抑制，突破單晶渦輪葉片超薄壁結(jié)構(gòu)高完整性連接的技術(shù)瓶頸，支撐第六代發(fā)動(dòng)機(jī)的極端工況服役需求。

本發(fā)明授權(quán)基于多場(chǎng)輔助及高熵中間層的IC21單晶高溫合金擴(kuò)散焊方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于多場(chǎng)輔助及高熵中間層的IC21單晶高溫合金擴(kuò)散焊方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1：制備高熵中間層箔材；所述高熵中間層的化學(xué)成分按質(zhì)量百分比由Ni35%、Cr22%、Al20%、Re7%、Ta5%、Y2%、Si7.5%、B1.5%組成； 步驟2：制備納米高熵中間層箔材；采用激光表面沖擊處理所述高熵中間層箔材，得到納米高熵中間層箔材； 步驟3：將所述納米高熵中間層箔材置于上下兩層IC21單晶高溫合金中間，在電場(chǎng)-磁場(chǎng)-超聲場(chǎng)輔助的真空擴(kuò)散焊接爐中進(jìn)行液相擴(kuò)散焊接；在焊接過程中，升溫階段施加電場(chǎng)，保溫階段同步施加超聲振動(dòng)場(chǎng)和脈沖磁場(chǎng)，得到IC21單晶高溫合金液相擴(kuò)散焊接頭。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西北工業(yè)大學(xué)，其通訊地址為：710072 陜西省西安市碑林區(qū)友誼西路127號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。