旺宏電子股份有限公司李建穎獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉旺宏電子股份有限公司申請的專利存儲器元件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114388515B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011184317.7,技術領域涉及:H10B41/35;該發明授權存儲器元件是由李建穎;李智雄;韓宗廷設計研發完成,并于2020-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器元件在說明書摘要公布了:本發明公開了一種存儲器元件,包括:襯底、位于所述襯底上的疊層結構、接觸窗以及支撐柱。所述疊層結構包括彼此交互疊層的多個導體層與多個絕緣層。接觸窗與所述疊層結構的所述多個導體層之一連接。支撐柱貫穿所述疊層結構,設置在所述接觸窗的周圍。所述支撐柱包括主體部以及多個延伸部。所述主體部設置在所述接觸窗的第一邊周圍。所述多個延伸部位于主體部兩側。每一延伸部的長度大于所述接觸窗的寬度,所述多個延伸部之一設置于所述接觸窗的所述第二邊周圍。
本發明授權存儲器元件在權利要求書中公布了:1.一種存儲器元件,其中,包括: 襯底; 疊層結構,位于所述襯底上,其中所述疊層結構包括彼此交互疊層的多個導體層與多個絕緣層; 第一接觸窗,與所述疊層結構的所述多個導體層之一連接;以及 第一支撐柱,貫穿所述疊層結構,設置在所述第一接觸窗的第一邊與第二邊周圍,所述第一支撐柱包括: 第一主體部,設置在所述第一接觸窗的所述第一邊周圍;以及 多個第一延伸部,位于第一主體部兩側,每一第一延伸部的長度大于所述第一接觸窗的寬度,所述多個第一延伸部之第一部分于設置于所述第一接觸窗的所述第二邊周圍; 其中,所述疊層結構還包含多個犧牲層,所述多個犧牲層和所述多個絕緣層相互交替堆疊,所述第一支撐柱被設置為將所述多個犧牲層與所述多個導體層分隔。
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