無錫先瞳半導體科技有限公司張子敏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉無錫先瞳半導體科技有限公司申請的專利變摻雜結構屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114156335B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111340000.2，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權變摻雜結構屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法是由張子敏;王宇澄;虞國新;吳飛;鐘軍滿設計研發完成，并于2021-11-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本變摻雜結構屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請是關于一種變摻雜結構屏蔽柵溝槽型場效應晶體管，包括：襯底區、漂移區、屏蔽柵、控制柵、基體區、源區、絕緣層、源極、漏極和金屬柵極；漂移區、基體區、源區和源極依次設置在襯底區上方，漏極設置于襯底區下方，控制柵和屏蔽柵由上至下設置在漂移區一側；襯底區1、漂移區2和源區7的摻雜類型均為第一摻雜類型；基體區6的摻雜類型為第二摻雜類型；襯底區1和源區7的摻雜濃度均大于漂移區的摻雜濃度；基體區6包括由上至下分布的若干層摻雜分布層；若干層摻雜分布層的摻雜濃度由上至下線性降低。本申請提供的方案能夠有效地縮短溝道區的溝道長度，從而減少溝道區的導通電阻。
本發明授權變摻雜結構屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種變摻雜結構屏蔽柵溝槽型場效應晶體管，其特征在于，包括： 襯底區1、漂移區2、屏蔽柵4、控制柵5、基體區6、源區7、絕緣層3、源極8、漏極9和金屬柵極10；所述漂移區2、所述基體區6、所述源區7和所述源極8依次設置在所述襯底區1上方，所述漏極9設置于所述襯底區1下方，所述控制柵5和所述屏蔽柵4由上至下設置在所述漂移區2的同一側，且所述控制柵5通過所述絕緣層3分別與所述基體區6和所述源區7貼合，所述屏蔽柵4通過所述絕緣層3與所述漂移區2貼合； 所述襯底區1、所述漂移區2和所述源區7的摻雜類型均為第一摻雜類型；所述基體區6的摻雜類型為第二摻雜類型； 所述襯底區1和所述源區7的摻雜濃度均大于所述漂移區的摻雜濃度；所述基體區6包括由上至下分布的若干層摻雜分布層；所述若干層摻雜分布層的摻雜濃度由上至下線性降低； 所述若干層摻雜分布層中，每層摻雜分布層的厚度相等。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫先瞳半導體科技有限公司，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市濱湖區建筑西路777號A3幢8層810；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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