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龍圖騰網(wǎng)獲悉長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利一種頁(yè)緩沖器、存儲(chǔ)器、三維存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器系統(tǒng)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114203707B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111356184.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B43/40；該發(fā)明授權(quán)一種頁(yè)緩沖器、存儲(chǔ)器、三維存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器系統(tǒng)是由陳亮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-16向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種頁(yè)緩沖器、存儲(chǔ)器、三維存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)公開了一種頁(yè)緩沖器、存儲(chǔ)器、三維存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，頁(yè)緩沖器包括沿第一方向交替排布的第一晶體管區(qū)域和第二晶體管區(qū)域；每個(gè)第一晶體管區(qū)域包括沿第二方向排布的至少兩個(gè)第一子區(qū)域，每個(gè)第二晶體管區(qū)域包括沿第二方向排布的至少兩個(gè)第二子區(qū)域；至少兩個(gè)沿第一方向延伸的阱接觸結(jié)構(gòu)，阱接觸結(jié)構(gòu)分別位于相鄰的第一子區(qū)域之間和相鄰的第二子區(qū)域之間；至少兩個(gè)沿第二方向延伸的電連接層，電連接層用于對(duì)每個(gè)第一晶體管區(qū)域內(nèi)的所有阱接觸結(jié)構(gòu)進(jìn)行連接；電連接層還用于對(duì)每個(gè)第二晶體管區(qū)域內(nèi)的所有阱接觸結(jié)構(gòu)進(jìn)行連接；第一方向垂直于所述第二方向。

本發(fā)明授權(quán)一種頁(yè)緩沖器、存儲(chǔ)器、三維存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種頁(yè)緩沖器，其特征在于，所述頁(yè)緩沖器包括： 沿第一方向交替排布的第一晶體管區(qū)域和第二晶體管區(qū)域；每個(gè)所述第一晶體管區(qū)域包括沿第二方向排布的至少兩個(gè)第一子區(qū)域，每個(gè)所述第二晶體管區(qū)域包括沿第二方向排布的至少兩個(gè)第二子區(qū)域； 至少兩個(gè)沿所述第一方向延伸的阱接觸結(jié)構(gòu)，所述阱接觸結(jié)構(gòu)分別位于相鄰的所述第一子區(qū)域之間和相鄰的所述第二子區(qū)域之間； 至少兩個(gè)沿所述第二方向延伸的電連接層，所述電連接層用于對(duì)每個(gè)第一晶體管區(qū)域內(nèi)的所有阱接觸結(jié)構(gòu)進(jìn)行連接；所述電連接層還用于對(duì)每個(gè)第二晶體管區(qū)域內(nèi)的所有阱接觸結(jié)構(gòu)進(jìn)行連接； 所述第一方向不同于于所述第二方向。

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