美光科技公司P·S·阮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉美光科技公司申請的專利經由交錯式兩遍數據編程技術粗略編程的存儲器單元的單階梯讀取獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114649040B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111430028.5,技術領域涉及:G11C16/34;該發明授權經由交錯式兩遍數據編程技術粗略編程的存儲器單元的單階梯讀取是由P·S·阮;J·菲茲帕特里克;K·K·姆奇爾拉設計研發完成,并于2021-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本經由交錯式兩遍數據編程技術粗略編程的存儲器單元的單階梯讀取在說明書摘要公布了:本申請案涉及經由交錯式兩遍數據編程技術粗略編程的存儲器單元的單階梯讀取。存儲器系統用以在存儲器單元中存儲多個數據位。存儲器裝置根據位值組合與閾值電平之間的映射將所述存儲器單元的閾值電壓粗略地編程到表示位值的組合的第一電平。所述閾值電平被分成組,每一組含有所述閾值電平的子集且具有分離所述子集中的閾值電平的相關聯讀取電壓。為所述存儲器單元確定所述組當中含有所述第一電平的第一組的組標識。所述存儲器裝置施加在序列中按遞增次序交錯的不同組的讀取電壓,以在所施加讀取電壓與所述第一組相關聯時讀取所述存儲器單元。使用從所述存儲器單元讀回的所述數據位來精細編程所述存儲器單元的所述閾值電壓。
本發明授權經由交錯式兩遍數據編程技術粗略編程的存儲器單元的單階梯讀取在權利要求書中公布了:1.一種在存儲器裝置中實施的方法,其包括: 接收多個數據位頁; 根據位值的組合與閾值電平之間的第一映射,將存儲器單元頁中的每一相應存儲器單元的閾值電壓編程到表示位值的組合的相應第一電平,每一位值來自所述多個數據位頁中的一頁,所述閾值電平中的每一個在多個組中的一個,所述多個組中的每一個含有所述閾值電平的子集且具有分離所述子集中的閾值電平的一組相關聯讀取電壓; 計算所述相應存儲器單元的組標識,所述組標識識別所述多個組當中的第一組,所述第一組含有所述相應第一電平,所述組標識具有至少兩個位; 使施加到所述存儲器單元頁的電壓斜升到按遞增次序的讀取電壓序列以從所述存儲器單元頁檢索所述多個數據位頁,其中所述多個組的讀取電壓在所述序列中交錯;及 在施加于所述存儲器單元頁上的所述讀取電壓與所述第一組相關聯時,確定所述相應存儲器單元的所述閾值電壓是否低于所述序列中的讀取電壓。
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