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龍圖騰網獲悉成都亞光電子股份有限公司申請的專利一種微波薄膜集成電路的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114334807B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111601571.7，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權一種微波薄膜集成電路的制備方法是由程吉霖;劉旭;盧超;聶源設計研發完成，并于2021-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種微波薄膜集成電路的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種微波薄膜集成電路的制備方法，在金屬化處理后，附著光刻膠，并選擇性去除光刻膠形成電路圖形，再選擇性電鍍金，然后利用真空濺射的方式制備抗刻蝕TiW掩膜保護層，利用光刻膠剝離工藝很好的去除非圖形區域的抗刻蝕金屬掩膜保護層，再按照一定順序依次去除其它膜層，從而得到微波薄膜集成電路板。本發明提供的制備方法可以用于含Ni層的復合薄膜，打破了現有技術的局限，適用性更廣。而且，即使帶膠電鍍過程中出現電鍍滲金現象，利用本發明的制備方法，也可制備出合格的薄膜電路。同時，本發明的制備方法能夠提高附著性，克服了在金層上電鍍會降低電路附著力而不適用于對拋光型陶瓷基片進行金屬化的問題。

本發明授權一種微波薄膜集成電路的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種微波薄膜集成電路的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、在陶瓷基片的表面進行金屬化處理，形成金屬復合膜層； 所述金屬復合膜層中，底層與所述陶瓷基片的表面接觸，表層背離所述陶瓷基片； 所述金屬復合膜層的表層為Au膜層； 所述金屬復合膜層選自：TaN-TiW-Ni-Au復合膜、TiW-Ni-Au復合膜、TaN-TiW-Ni-Au復合膜或NiCr-Ni-Au復合膜； S2、在所述金屬復合膜層的表面附著光刻膠，并去除電路圖形區域的光刻膠使電路圖形區域的金屬復合膜層露出，保留非電路圖形區域的光刻膠； S3、對步驟S2所得電路板進行電鍍金，在電路圖形區域露出的金屬復合膜層的表面形成鍍金層； S4、對步驟S3所得電路板進行真空濺射，在電路圖形區域的鍍金層表面和非電路圖形區域的光刻膠表面形成抗刻蝕金屬掩膜保護層； 所述抗刻蝕金屬掩膜保護層為TiW合金層； S5、去除非電路圖形區域的光刻膠和光刻膠表面的抗刻蝕金屬掩膜保護層，露出金屬復合膜層； S6、去除非電路圖形區域露出的金屬復合膜層中的表層； S7、去除電路圖形區域附著的抗刻蝕金屬掩膜保護層；所述去除的方式為：將步驟S6所得電路板置于鈦鎢腐蝕液中進行腐蝕；所述鈦鎢腐蝕液為雙氧水溶液； S8、去除非電路圖形區域露出的金屬復合膜層中的其它層，得到微波薄膜集成電路基板。

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