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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣東晶科電子股份有限公司申請(qǐng)的專利基板、集成封裝器件及集成封裝器件的制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114361144B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111671191.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H29/24；該發(fā)明授權(quán)基板、集成封裝器件及集成封裝器件的制作方法是由萬(wàn)垂銘;溫紹飛;林仕強(qiáng);朱文敏;曾照明;肖國(guó)偉設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基板、集成封裝器件及集成封裝器件的制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基板、集成封裝器件及集成封裝器件的制作方法，基板包括圖形化的導(dǎo)電層、隔絕結(jié)構(gòu)層和芯片焊盤單元；導(dǎo)電層設(shè)有至少三層并疊層排列；隔絕結(jié)構(gòu)層設(shè)有若干層并分別插設(shè)在相鄰兩導(dǎo)電層之間，隔絕結(jié)構(gòu)層包括基體層和至少一絕緣層；芯片焊盤單元設(shè)有若干個(gè)并排列成矩陣；非底層的各導(dǎo)電層分別與至少一行芯片焊盤單元對(duì)應(yīng)；芯片焊盤單元設(shè)有若干類且分別與各導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)，各類芯片焊盤單元均設(shè)置在頂層的隔絕結(jié)構(gòu)層上；底層導(dǎo)電層與其上方的各非底層導(dǎo)電層分別通過導(dǎo)通孔連接；頂層導(dǎo)電層與對(duì)應(yīng)的芯片焊盤單元連接；非頂層導(dǎo)電層分別與對(duì)應(yīng)的芯片焊盤單元通過連通孔連接。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)封裝器件的高分辨率、減小封裝尺寸。

本發(fā)明授權(quán)基板、集成封裝器件及集成封裝器件的制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成封裝器件，其特征在于，包括基板和若干發(fā)光芯片、與所述發(fā)光芯片一一對(duì)應(yīng)的光轉(zhuǎn)換層、連接膠層、填充膠和圍壩；所述基板包括圖形化的導(dǎo)電層、隔絕結(jié)構(gòu)層和芯片焊盤單元； 所述導(dǎo)電層設(shè)有至少三層并疊層排列； 所述隔絕結(jié)構(gòu)層設(shè)有若干層并分別插設(shè)在相鄰兩所述導(dǎo)電層之間并與導(dǎo)電層連接固定，所述隔絕結(jié)構(gòu)層包括一基體層和至少一絕緣層； 所述芯片焊盤單元用于連接發(fā)光芯片，所述芯片焊盤單元設(shè)有若干個(gè)并在頂層的隔絕結(jié)構(gòu)層上排列成矩陣；非底層的各導(dǎo)電層分別與至少一行芯片焊盤單元對(duì)應(yīng)，且一行芯片焊盤單元僅對(duì)應(yīng)一導(dǎo)電層； 所述芯片焊盤單元設(shè)有若干類且分別與各所述導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)，各類芯片焊盤單元均設(shè)置在頂層的隔絕結(jié)構(gòu)層上； 底層導(dǎo)電層與其上方的各非底層導(dǎo)電層分別通過導(dǎo)通孔連接；頂層導(dǎo)電層與對(duì)應(yīng)的芯片焊盤單元連接；非頂層導(dǎo)電層分別與對(duì)應(yīng)的芯片焊盤單元通過連通孔連接； 所述頂層導(dǎo)電層包括若干第一邊緣焊盤和若干第一圖形引線，所述第一圖形引線的一端連接所述第一邊緣焊盤，另一端連接對(duì)應(yīng)的所述芯片焊盤單元，所述第一邊緣焊盤通過所述導(dǎo)通孔與所述底層導(dǎo)電層連接； 位于頂層導(dǎo)電層和底層導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電層均為內(nèi)層導(dǎo)電層，各所述內(nèi)層導(dǎo)電層均包括若干第二邊緣焊盤、若干第二圖形引線和若干第二連接焊盤，所述第二連接焊盤通過所述第二圖形引線與所述第二邊緣焊盤連接，所述第二連接焊盤與對(duì)應(yīng)的所述芯片焊盤單元通過連通孔連接，所述第二邊緣焊盤通過所述導(dǎo)通孔與所述底層導(dǎo)電層連接； 所述第二邊緣焊盤與所述第一邊緣焊盤的位置上下錯(cuò)開，所述第二連接焊盤與對(duì)應(yīng)的所述芯片焊盤單元上下相對(duì)； 內(nèi)層導(dǎo)電層包括內(nèi)層導(dǎo)電層一和內(nèi)層導(dǎo)電層二，連通孔包括連通孔一和連通孔二；第二連接焊盤與對(duì)應(yīng)的芯片焊盤單元通過連通孔一連接，第二邊緣焊盤通過導(dǎo)通孔二與底層導(dǎo)電層連接；第二連接焊盤與對(duì)應(yīng)的芯片焊盤單元通過連通孔二連接，第二邊緣焊盤通過導(dǎo)通孔三與底層導(dǎo)電層連接； 導(dǎo)通孔包括導(dǎo)通孔一、導(dǎo)通孔二、導(dǎo)通孔三，頂層導(dǎo)電層通過導(dǎo)通孔一與底層導(dǎo)電層連接，內(nèi)層導(dǎo)電層一通過導(dǎo)通孔二與底層導(dǎo)電層連接，內(nèi)層導(dǎo)電層二通過導(dǎo)通孔三與底層導(dǎo)電層連接，對(duì)應(yīng)地，導(dǎo)通孔一貫通頂層隔絕結(jié)構(gòu)層、中層隔絕結(jié)構(gòu)層和底層隔絕結(jié)構(gòu)層，導(dǎo)通孔二貫通中層隔絕結(jié)構(gòu)層和底層隔絕結(jié)構(gòu)層，導(dǎo)通孔三貫通底層隔絕結(jié)構(gòu)層。

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