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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳大普微電子科技有限公司申請的專利閃存物理層的測試方法及閃存設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114333960B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111672874.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C29/12；該發(fā)明授權(quán)閃存物理層的測試方法及閃存設(shè)備是由陸震熙;黃運新設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本閃存物理層的測試方法及閃存設(shè)備在說明書摘要公布了：本申請實施例涉及存儲設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域，公開了一種閃存物理層的測試方法及閃存設(shè)備，該方法包括：將閃存控制器的閃存物理層與模擬顆粒的閃存物理層對接；由閃存控制器的閃存物理層向模擬顆粒的閃存物理層執(zhí)行讀操作，以使閃存控制器的閃存物理層獲取模擬顆粒的閃存物理層發(fā)送的數(shù)據(jù)；若閃存控制器的閃存物理層獲取的數(shù)據(jù)與模擬顆粒的閃存物理層發(fā)送的數(shù)據(jù)一致，則確定閃存控制器的閃存物理層的功能正常。通過設(shè)置一個模擬顆粒，將模擬顆粒的閃存物理層與閃存控制器的閃存物理層對接，若閃存控制器的閃存物理層獲取的數(shù)據(jù)與模擬顆粒的閃存物理層發(fā)送的數(shù)據(jù)一致，則確定閃存控制器的閃存物理層的功能正常，本申請能夠提高對閃存物理層的測試能力。

本發(fā)明授權(quán)閃存物理層的測試方法及閃存設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種閃存物理層的測試方法，其特征在于，應(yīng)用于閃存設(shè)備，所述閃存設(shè)備包括閃存控制器，所述方法包括： 將所述閃存控制器的閃存物理層與模擬顆粒的閃存物理層對接； 由所述閃存控制器的閃存物理層向所述模擬顆粒的閃存物理層執(zhí)行讀操作，以使閃存控制器的閃存物理層獲取模擬顆粒的閃存物理層發(fā)送的數(shù)據(jù)； 若所述閃存控制器的閃存物理層獲取的數(shù)據(jù)與所述模擬顆粒的閃存物理層發(fā)送的數(shù)據(jù)一致，則確定所述閃存控制器的閃存物理層的功能正常； 在將所述閃存控制器的閃存物理層與模擬顆粒的閃存物理層對接之前，所述方法還包括： 將閃存控制器的閃存物理層的工作頻率設(shè)置為第一工作頻率，其中，所述第一工作頻率大于閃存顆粒的最大工作頻率； 將模擬顆粒的閃存物理層的工作頻率設(shè)置為第二工作頻率，其中，第一工作頻率等于第二工作頻率。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人深圳大普微電子科技有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)騰飛路9號創(chuàng)投大廈3501室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。