杭州電子科技大學富陽電子信息研究院有限公司;杭州電子科技大學程知群獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州電子科技大學富陽電子信息研究院有限公司;杭州電子科技大學申請的專利一種高線性度的GaN HEMT射頻功率器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114649404B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210105595.1，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種高線性度的GaN HEMT射頻功率器件是由程知群;樂超設計研發完成，并于2022-01-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高線性度的GaN HEMT射頻功率器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高線性度的GaNHEMT射頻功率器件，包括依次設置的襯底層、緩沖層、溝道層、阻擋層、保護層，在保護層的上方設置源極、柵極和漏極；其中，所述保護層形成L形槽，所述源極設置在L形槽的頂部使源極端口和柵極端口在水平空間上相互錯開。采用本發明的技術方案，將保護層做成一個L形槽，使得源極端口往豎直方向抬升，達到Source端口的底部與Gate端口的頂端齊平，從而根本上消除了Cgs的存在，Δ隨著輸出功率增加時，Cgs不再影響Δ值的變化，從而緩解了Δ值遠離0的趨勢，有效的改善了器件線性度。
本發明授權一種高線性度的GaN HEMT射頻功率器件在權利要求書中公布了：1.一種高線性度的GaNHEMT射頻功率器件，其特征在于，包括依次設置的襯底層、緩沖層、溝道層、阻擋層、保護層，在保護層的上方設置源極、柵極和漏極；其中，所述保護層形成L形槽，所述源極設置在L形槽的頂部使源極端口和柵極端口在水平空間上相互錯開；漏極端口頂部與柵極端口頂部齊平，源極端口底部與柵極端口頂部齊平；溝道層采用GaN材料；阻擋層采用AlGaN材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州電子科技大學富陽電子信息研究院有限公司;杭州電子科技大學，其通訊地址為：311400 浙江省杭州市富陽區銀湖街道富閑路9號銀湖創新中心6號9層937室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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