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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江芯科半導(dǎo)體有限公司申請的專利基于氮化鎵的凹柵MOS結(jié)構(gòu)紫外光電探測器及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116344663B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310316978.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F30/28；該發(fā)明授權(quán)基于氮化鎵的凹柵MOS結(jié)構(gòu)紫外光電探測器及其制造方法是由李京波;劉杭瓚;汪禹;楊雄;劉傳凱;王小周;韓理想設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-03-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本基于氮化鎵的凹柵MOS結(jié)構(gòu)紫外光電探測器及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種基于氮化鎵的凹柵MOS結(jié)構(gòu)紫外光電探測器，包括：襯底；緩沖層，位于襯底的上表面；第一n+?GaN層，位于緩沖層的上表面；n??GaN層，位于第一n+?GaN層的上表面；p?GaN層，位于n??GaN層的上表面；第二n+?GaN層，位于p?GaN層的上表面，p?GaN層和第二n+?GaN層上形成有延伸至n??GaN層表面的第一凹口；柵介質(zhì)層，位于第一n+?GaN層的上表面、第二n+?GaN層的上表面以及第一凹口的表面，柵介質(zhì)層、第二n+?GaN層以及p?GaN層形成有第二凹口；漏電極，位于第一n+?GaN層上；柵電極，位于柵介質(zhì)層的上表面，與第一凹口相對應(yīng)；源電極，位于第二凹口處。本申請PN結(jié)的存在使其擁有柵壓調(diào)控其光電特性的能力。通過施加給器件一個正柵壓，紫外探測的光暗電流比能夠超過106，同時器件具有極快的上升時間τrise和衰減時間τdecay。

本發(fā)明授權(quán)基于氮化鎵的凹柵MOS結(jié)構(gòu)紫外光電探測器及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于氮化鎵的凹柵MOS結(jié)構(gòu)紫外光電探測器，其特征在于，包括： 襯底； 緩沖層，位于所述襯底的上表面； 第一n+-GaN層，位于所述緩沖層的上表面； n--GaN層，位于所述第一n+-GaN層的上表面； p-GaN層，位于所述n--GaN層的上表面； 第二n+-GaN層，位于所述p-GaN層的上表面，所述p-GaN層和第二n+-GaN層上形成有延伸至n--GaN層表面的第一凹口； 柵介質(zhì)層，位于所述第一n+-GaN層的上表面、第二n+-GaN層的上表面以及第一凹口的表面，所述柵介質(zhì)層、第二n+-GaN層以及p-GaN層形成有第二凹口，所述第二凹口有兩個，分別位于所述第一凹口的兩側(cè)； 兩個漏電極，位于所述第一n+-GaN層上，且分別位于所述柵介質(zhì)層的兩側(cè)； 柵電極，位于所述柵介質(zhì)層的上表面，與所述第一凹口相對應(yīng)；以及 兩個源電極，分別位于對應(yīng)的第二凹口處。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江芯科半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市富陽區(qū)春江街道江南路68號第23幢706室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。