寧波芯健半導體有限公司彭祎獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉寧波芯健半導體有限公司申請的專利一種測試芯片的封裝方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN117790341B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202311745136.0,技術領域涉及:H01L21/60;該發明授權一種測試芯片的封裝方法是由彭祎;任超;方梁洪;李春陽設計研發完成,并于2023-12-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種測試芯片的封裝方法在說明書摘要公布了:本申請涉及一種測試芯片的封裝方法,涉及半導體封裝技術的領域,其包括提取第一集成電路晶圓并于第一集成電路晶圓的一側覆蓋第一介電層;于第一介電層的一側濺射第一金屬TiCu層;將第一掩模版上的圖像進行光刻以在第一金屬TiCu層上形成第一光刻層;于第一光刻層上電鍍第一UBM金屬層;依次去除第一光刻層和第一金屬TiCu層,以露出成型為第一設計芯片圖像和第一測試芯片圖像的第一電鍍金屬層;于第一電鍍金屬層上形成第一凸點;將第一集成電路晶圓切割成單個第一芯片,本申請具有在封裝過程中設計中心有特殊圖像的測試芯片,使得每次檢測都處于同一個水平,檢測結果較為準確且判斷依據標準化,提高了檢測的效率的效果。
本發明授權一種測試芯片的封裝方法在權利要求書中公布了:1.一種測試芯片的封裝方法,應用于不具有再布線結構的芯片上,其特征在于,包括: 提取第一集成電路晶圓并于第一集成電路晶圓裸露出第一電極的一側覆蓋第一介電層,所述第一集成電路晶圓上設有第一待成型芯片,所述第一待成型芯片上設有第一電極和第一電路模塊,所述第一集成電路晶圓上覆蓋有第一鈍化層,所述第一鈍化層遠離第一集成電路晶圓的一側設有露出第一電極的第一開口; 于第一介電層遠離第一集成電路晶圓的一側濺射第一金屬TiCu層; 將預設的第一掩模版上的圖像進行光刻以在第一金屬TiCu層上形成第一光刻層,所述第一光刻層包括預設的第一設計芯片圖像和第一測試芯片圖像; 于第一光刻層上電鍍第一UBM金屬層; 依次去除第一光刻層和第一金屬TiCu層,以露出成型為第一設計芯片圖像和第一測試芯片圖像的第一電鍍金屬層; 于第一電鍍金屬層上形成第一凸點,所述形成工藝為植球工藝或者回流工藝; 于經過檢測后將第一集成電路晶圓切割成單個第一芯片,所述第一芯片包括具有第一設計芯片圖像的設計芯片和具有第一測試芯片圖像的第一測試芯片。
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