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龍圖騰網(wǎng)獲悉常州東華電力電子有限公司申請的專利具有高散熱性能的可控硅模塊及其工作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119730165B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411886185.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H05K7/20；該發(fā)明授權(quán)具有高散熱性能的可控硅模塊及其工作方法是由劉建軍;錢瑛設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-12-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有高散熱性能的可控硅模塊及其工作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于印刷電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有高散熱性能的可控硅模塊及其工作方法，本具有高散熱性能的可控硅模塊包括：可控硅陣列單元，其包括：若干可控硅器件組；其中各所述可控硅器件組包括：九個呈矩陣排布的可控硅器件，且形成軸心圈、內(nèi)圈和外圈；若干水冷頭單元，分別與相應(yīng)可控硅器件組貼合，且包括：上腔室、下腔室、噴流嘴和觸發(fā)塊組；本具有高散熱性能的可控硅模塊及其工作方法通過觸發(fā)塊組改變噴流嘴的噴射速度，使得噴流嘴可以對下腔室中內(nèi)圈和外圈對應(yīng)的區(qū)域進行清理氣泡和絮狀物，從而改善散熱效果；同時為了使外圈能夠和內(nèi)圈清理的效果接近，通過觸發(fā)塊組配合降低了噴流嘴朝向外圈的可控硅器件時降低轉(zhuǎn)動，增加清理時長。

本發(fā)明授權(quán)具有高散熱性能的可控硅模塊及其工作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有高散熱性能的可控硅模塊，其特征在于，包括： 可控硅陣列單元（1），其包括：若干可控硅器件組（10）；其中 各所述可控硅器件組（10）包括：九個呈矩陣排布的可控硅器件（11），且形成軸心圈（111）、內(nèi)圈（112）和外圈（113）； 若干水冷頭單元（2），分別與相應(yīng)可控硅器件組（10）貼合，且包括：上腔室（21）、下腔室（22）、噴流嘴（23）和觸發(fā)塊組（24）；其中 所述噴流嘴（23）轉(zhuǎn)動設(shè)置在上腔室（21）和下腔室（22）之間，以將上腔室（21）內(nèi)的冷卻介質(zhì)導(dǎo)入下腔室（22）； 所述噴流嘴（23）被配置為在轉(zhuǎn)動過程中，對下腔室（22）上內(nèi)圈（112）對應(yīng)的區(qū)域進行清理；以及 所述噴流嘴（23）還被配置為在轉(zhuǎn)動過程中，通過觸發(fā)塊組（24）的擠壓改變噴射速度，以對下腔室（22）上外圈（113）對應(yīng)的區(qū)域進行清理； 所述噴流嘴（23）的入口端（231）位于上腔室（21）內(nèi)，第一出口端（232）位于下腔室（22）內(nèi)；其中 所述入口端（231）處套設(shè)有葉輪（233），所述葉輪（233）被配置為通過水冷管（3）內(nèi)介質(zhì)的沖刷帶動噴流嘴（23）的第一出口端（232）公轉(zhuǎn)； 所述第一出口端（232）的傾斜角度與內(nèi)圈（112）相適配，所述第一出口端（232）被配置為在公轉(zhuǎn)時，對下腔室（22）上內(nèi)圈（112）對應(yīng)的區(qū)域進行清理；以及 所述第一出口端（232）的端部側(cè)壁轉(zhuǎn)動設(shè)置有下壓板（234），所述下壓板（234）的鉸接部設(shè)置有卷簧（235），所述第一出口端（232）還被配置為在公轉(zhuǎn)時，通過觸發(fā)塊組（24）擠壓下壓板（234）改變噴射速度，以對下腔室（22）上外圈（113）對應(yīng)的區(qū)域進行清理。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人常州東華電力電子有限公司，其通訊地址為：213000 江蘇省常州市金壇區(qū)華豐路6號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。