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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所申請的專利寬禁帶氮化物量子阱、制備方法及寬禁帶半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120379404B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510859647.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)寬禁帶氮化物量子阱、制備方法及寬禁帶半導(dǎo)體器件是由石芝銘;楊喻心;孫曉娟;黎大兵;蔣科;賁建偉;呂順鵬;張山麗設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本寬禁帶氮化物量子阱、制備方法及寬禁帶半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域，本申請?zhí)峁┑膶捊麕У锪孔于?、制備方法及寬禁帶半?dǎo)體器件，包括量子阱結(jié)構(gòu)，所述量子阱結(jié)構(gòu)包括量子阱層及生長于所述量子阱層上的量子壘層；所述量子阱層及所述量子壘層的界面處引入氮化物量子阱異質(zhì)界面處的氮空位，本申請通過在量子阱中引入精確設(shè)計的缺陷態(tài)，這些缺陷態(tài)能級位置位于CBM與CBM+1形成的準(zhǔn)能級（Eg2）附近，能夠有效調(diào)節(jié)CBM和VBM處的局域態(tài)密度，促進電子?空穴的平衡冷卻，并避免深能級缺陷態(tài)引發(fā)的非輻射復(fù)合效應(yīng)，同時，缺陷態(tài)的引入不僅有效降低了熱電子冷卻時間，還增強了載流子的注入和復(fù)合效率，與傳統(tǒng)EBL技術(shù)相比展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。

本發(fā)明授權(quán)寬禁帶氮化物量子阱、制備方法及寬禁帶半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種寬禁帶氮化物量子阱的制備方法，其特征在于：包括下述步驟： 生長量子阱結(jié)構(gòu)，所述量子阱結(jié)構(gòu)包括量子阱層及生長于所述量子阱層上的量子壘層； 在所述量子阱層及所述量子壘層的界面處引入氮化物量子阱異質(zhì)界面處的氮空位； 在生長量子阱結(jié)構(gòu)的步驟中，具體包括下述步驟： 提供一襯底； 在所述襯底上生長GaN基底層； 在所述GaN基底層上依次生長所述量子阱層及所述量子壘層； 在所述量子阱層及所述量子壘層的界面處引入氮化物量子阱異質(zhì)界面處的氮空位的步驟中，具體包括下述步驟： 在所述量子壘層生長階段，采用動態(tài)NH3流量控制技術(shù)，將NH3流量以100-200sccmmin的速率線性降低至600-1000sccm，同時將三甲基鋁流量增加至80-120μmolmin，使生長過程中的氣相VIII比降至500-800，并在此過程中周期性嵌入脈沖式NH3中斷工藝，生長1nm量子壘層后關(guān)閉NH35-10秒，并在中斷期間開啟真空泵抽氣系統(tǒng)，保持腔體壓力≤1×10- 3Pa，抽氣時間為中斷時間的80%-100%，促使所述量子阱層及所述量子壘層的界面氮原子脫附形成氮空位VN富集區(qū)；通過X射線光電子能譜檢測N-s態(tài)電子結(jié)合能偏移，定量氮空位VN濃度控制在1×1018-5×1019cm-3，利用深能級瞬態(tài)譜確認(rèn)缺陷態(tài)位于Ec+0.8-1.2eV區(qū)間，并通過高分辨X射線衍射驗證界面應(yīng)變保持≤0.15%；其中：生長溫度控制在800±50℃，反應(yīng)腔壓力維持在100±20kPa，生長速率控制在0.8-1.2μmh。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所，其通訊地址為：130033 吉林省長春市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)東南湖大路3888號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。