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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120390443B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510884393.5，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權一種半導體器件及其制作方法是由王文智;王仲盛設計研發完成，并于2025-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件及其制作方法，屬于半導體技術領域。制作方法包括：提供一襯底，襯底上形成有柵極結構及兩側的側墻結構，在柵極結構兩側的襯底內形成有輕摻雜區和重摻雜區；在襯底上形成覆蓋襯底、柵極結構和側墻結構的第一刻蝕停止層；通過刻蝕第一刻蝕停止層內形成開口，開口暴露部分重摻雜區和至少部分柵極結構；在開口內形成補償外延層，補償外延層覆蓋部分重摻雜區；至少金屬化處理補償外延層，形成金屬硅化物層；在襯底和金屬硅化物層上形成層間介質層；刻蝕層間介質層至金屬硅化物層，形成連接孔；在連接孔內形成阻擋層和導電結構。通過本發明提供的半導體器件及其制作方法，能夠提升飽和電流，提高半導體器件的性能和良率。

本發明授權一種半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟： 提供一襯底，所述襯底上形成有柵極結構以及所述柵極結構兩側的側墻結構，在所述柵極結構兩側的襯底內形成有輕摻雜區和重摻雜區； 在所述襯底上形成覆蓋所述襯底、所述柵極結構和所述側墻結構的第一刻蝕停止層； 通過刻蝕，在所述第一刻蝕停止層內形成開口，所述開口暴露部分所述重摻雜區和至少部分所述柵極結構； 在所述開口內形成補償外延層，所述補償外延層覆蓋部分所述重摻雜區和至少部分所述柵極結構；去除所述第一刻蝕停止層； 至少金屬化處理所述補償外延層和部分所述襯底，形成金屬硅化物層；所述重摻雜區上的所述金屬硅化物層包括第一分部和第二分部，所述第一分部凸出形成在所述襯底上，所述第二分部由所述襯底的表面向所述襯底內延伸； 所述側墻結構從靠近所述柵極結構的側邊起，包括層疊的第一子層、第二子層、第三子層和第四子層，在形成所述金屬硅化物層后，去除所述第四子層和所述第三子層，在所述第二分部的底部以及所述重摻雜區與所述第二子層之間的所述襯底內形補償摻雜區； 在所述襯底和所述金屬硅化物層上形成層間介質層； 刻蝕所述層間介質層至所述金屬硅化物層，形成連接孔；以及 在所述連接孔內形成阻擋層和導電結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。