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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利晶圓的測試結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115831926B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111095434.0，技術領域涉及：H01L23/544；該發明授權晶圓的測試結構及其制備方法是由朱宏成設計研發完成，并于2021-09-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶圓的測試結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開實施例提供一種晶圓的測試結構及其制備方法，涉及半導體技術領域，該測試結構包括至少一個測試單元；每個測試單元設置于晶圓的切割道上，每個測試單元包括相互連接的第一有源區和第二有源區，第一有源區上設置有第一導電插塞，第二有源區上設置有第二導電插塞；第一有源區和第二有源區中之一設置有接觸結構。本公開實施例通過測試單元中的接觸結構與晶圓的芯片區內的位線接觸結構相同，可以通過測量測試單元中接觸結構的電阻值，將該電阻值作為晶圓的芯片區的位線接觸結構的電阻值，以保證芯片區內的位線接觸結構的電阻值的準確性。

本發明授權晶圓的測試結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓的測試結構，其特征在于，包括至少一個測試單元，所述測試單元設置于所述晶圓的切割道上； 每個所述測試單元包括相互連接的第一有源區和第二有源區，所述第一有源區上設置有第一導電插塞，所述第二有源區上設置有第二導電插塞，所述第一有源區和所述第二有源區中之一設置有接觸結構，所述接觸結構與所述晶圓的芯片區的位線接觸結構相同； 所述測試結構還包括電壓測試設備和電流輸入設備； 所述電壓測試設備的一端與所述第一導電插塞和所述第二導電插塞中的其中一個連接，所述電壓測試設備的另一端與所述接觸結構連接； 所述電流輸入設備的一端與所述第一導電插塞和所述第二導電插塞中的另一個連接，所述電流輸入設備的另一端與所述接觸結構連接； 所述測試單元還包括第一導線、第二導線和第三導線，所述第一導線與所述第一導電插塞電連接，所述第三導線與所述第二導電插塞電連接，所述第二導線與所述接觸結構電連接，且沿第一方向，所述第二導線包括相對設置的第一端和第二端； 所述接觸結構設置在所述第一有源區內，并位于所述第一導電插塞和所述第二導電插塞之間； 所述電壓測試設備的一端與所述第一導線連接，所述電壓測試設備的另一端與所述第二導線的第一端連接； 所述電流輸入設備的一端與所述第三導線連接，所述電流輸入設備的另一端與所述第二導線的第二端連接。

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