華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司劉敏獲國(guó)家專(zhuān)利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利測(cè)試結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114242607B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為:202111538755.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/66;該發(fā)明授權(quán)測(cè)試結(jié)構(gòu)及其形成方法是由劉敏;張棟;范曉設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-12-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。
本測(cè)試結(jié)構(gòu)及其形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:一種測(cè)試結(jié)構(gòu)及其形成方法,其中,測(cè)試結(jié)構(gòu)包括:基底,所述基底的切割道包括若干像素測(cè)試區(qū)和若干邏輯測(cè)試區(qū),所述像素測(cè)試區(qū)和所述邏輯測(cè)試區(qū)在第一方向上交替排列;位于所述像素測(cè)試區(qū)上的像素測(cè)試柵結(jié)構(gòu),所述像素測(cè)試柵結(jié)構(gòu)的延伸方向垂直于所述第一方向;位于所述邏輯測(cè)試區(qū)上的邏輯測(cè)試柵結(jié)構(gòu),所述邏輯測(cè)試柵結(jié)構(gòu)的延伸方向垂直于所述第一方向。所述測(cè)試結(jié)構(gòu)能夠降低制造成本、人力和時(shí)間。
本發(fā)明授權(quán)測(cè)試結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,包括: 基底,所述基底的切割道包括若干像素測(cè)試區(qū)和若干邏輯測(cè)試區(qū),所述像素測(cè)試區(qū)和所述邏輯測(cè)試區(qū)在第一方向上交替排列; 位于所述像素測(cè)試區(qū)上的像素測(cè)試柵結(jié)構(gòu),所述像素測(cè)試柵結(jié)構(gòu)的延伸方向垂直于所述第一方向; 位于所述邏輯測(cè)試區(qū)上的邏輯測(cè)試柵結(jié)構(gòu),所述邏輯測(cè)試柵結(jié)構(gòu)的延伸方向垂直于所述第一方向; 位于所述像素測(cè)試區(qū)上的柵極的側(cè)壁面的第一側(cè)墻;位于所述第一側(cè)墻、以及所述邏輯測(cè)試區(qū)上的柵極的側(cè)壁面的第二側(cè)墻;并且,所述像素測(cè)試柵結(jié)構(gòu)還包括:所述第一側(cè)墻、以及位于所述第一側(cè)墻的側(cè)壁面的第二側(cè)墻,所述邏輯測(cè)試柵結(jié)構(gòu)還包括:位于所述邏輯測(cè)試區(qū)上的柵極的側(cè)壁面的第二側(cè)墻。
如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù),可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司,其通訊地址為:214028 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新洲路30號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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