北京超弦存儲器研究院;北京大學吳燕慶獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京超弦存儲器研究院;北京大學申請的專利一種垂直堆疊互補場效應晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242722B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111562428.1，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權一種垂直堆疊互補場效應晶體管及其制備方法是由吳燕慶;熊雄;胡倩瀾;童安宇設計研發完成，并于2021-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種垂直堆疊互補場效應晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種垂直堆疊互補場效應晶體管及其制備方法。本發明將n型的氧化銦錫場效應晶體管ITOFET位于底層，p型的二維材料場效應晶體管位于上層，二者垂直堆疊形成互補場效應晶體管，從而獲得一種功耗低、單元面積占用小、寄生效應小、工作速度快的CMOS器件。
本發明授權一種垂直堆疊互補場效應晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種CMOS器件，是基于氧化銦錫二維材料的垂直堆疊互補場效應晶體管，其中，n型的氧化銦錫場效應晶體管位于底層，p型的二維材料場效應晶體管位于上層，二者垂直堆疊；所述氧化銦錫場效應晶體管包括由下至上依次設置的襯底、緩沖層、第一柵電極、第一柵介質層、ITO溝道及其兩端的源漏電極、第二柵介質層，所述二維材料場效應晶體管包括由下至上依次設置在第二柵介質層上的第二柵電極、第三柵介質層、二維材料溝道及其兩端的源漏電極、第四柵介質層、第三柵電極；所述第一柵電極、第二柵電極和第三柵電極串聯，ITO溝道兩端的源漏電極和二維材料溝道兩端的源漏電極串聯在一起，組成CMOS反相器。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京超弦存儲器研究院;北京大學，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區景園北街52幢5層501-12；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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