江西兆馳半導體有限公司田杰獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種外延隔離LED芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114628551B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210169458.4，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權一種外延隔離LED芯片及其制備方法是由田杰;簡弘安;張星星;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2022-02-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種外延隔離LED芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種外延隔離LED芯片及其制備方法，包括：提供襯底，在襯底上刻蝕形成凹槽；分別在凹槽的底部、側壁及頂部沉積抑制外延層生長的化合物；通過刻蝕分別去除在凹槽的頂部和底部沉積的化合物；并依次在凹槽的底部生長N型半導體層、發光層和P型半導體層。本發明中的外延隔離LED芯片及其制備方法，通過首先在襯底上刻蝕出凹槽，形成自隔離的結構，并在凹槽側壁沉積抑制外延層生長的化合物，在自隔離的結構上生長外延層，提前將芯片進行隔離再生長外延層能夠避免刻蝕對外延層的污染，提高了芯片的發光效率。
本發明授權一種外延隔離LED芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種外延隔離LED芯片制備方法，其特征在于，所述方法包括： 提供襯底，在所述襯底上形成第一光刻圖形，刻蝕出與所述第一光刻圖形相應的圖形，以使在所述襯底上形成凹槽； 分別在所述凹槽的底部、側壁及頂部沉積抑制外延層生長的化合物； 通過刻蝕分別去除在所述凹槽的頂部和底部沉積的所述化合物； 在所述襯底上形成第二光刻圖形，刻蝕出與所述第二光刻圖形相應的圖案，并依次在所述凹槽的底部生長N型半導體層、發光層和P型半導體層； 在分別在所述凹槽的底部、側壁及頂部沉積化合物的步驟中： 將第一氣體反應劑通入腔體，控制通入時間為0.1s-60s； 停止通入第一氣體反應劑，通入吹掃氣體將腔體內殘留的所述第一氣體反應劑去除，并控制吹入時間為0.1s-60s，所述吹掃氣體包括惰性氣體； 將第二氣體反應劑通入腔體，控制通入時間為0.1s-60s； 停止通入第二氣體反應劑，通入所述吹掃氣體將腔體內殘留的所述第二氣體反應劑去除，并控制吹入時間為0.1s-60s； 循環重復上述步驟，直至沉積化合物的厚度達到預設厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號