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龍圖騰網獲悉華燦光電(蘇州)有限公司申請的專利提高空穴量的紫外發光二極管外延片制備方法及外延片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823993B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210220202.1，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權提高空穴量的紫外發光二極管外延片制備方法及外延片是由蔣媛媛;胡燁偉;許楊;李翠玲;從穎;李鵬設計研發完成，并于2022-03-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本提高空穴量的紫外發光二極管外延片制備方法及外延片在說明書摘要公布了：本公開提供了一種提高空穴量的紫外發光二極管外延片制備方法及外延片，屬于半導體器件技術領域。在有源層上周期性生長AlGaN復合層以得到P型AlGaN層，AlGaN復合層包括依次層疊的AlGaN三維子層、AlGaN覆蓋子層與AlGaN處理子層。降低內部應力與缺陷。富含氮元素的AlGaN三維子層更容易摻入更多的Mg元素，提高空穴量。低氮環境Al原子與Ga原子的分布更為均勻，保證最終得到的AlGaN復合層的晶體質量。最終僅向反應腔僅通入氨氣以生長AlGaN處理子層。保證最終得到的P型AlGaN層能夠提供大量空穴的同時保證最終得到的P型AlGaN層的晶體質量。

本發明授權提高空穴量的紫外發光二極管外延片制備方法及外延片在權利要求書中公布了：1.一種提高空穴量的紫外發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述提高空穴量的紫外發光二極管外延片制備方法包括： 提供一襯底； 在所述襯底依次生長N型AlGaN層與有源層； 在所述有源層上周期性生長AlGaN復合層以得到P型AlGaN層，所述AlGaN復合層包括依次層疊的AlGaN三維子層、AlGaN覆蓋子層與AlGaN處理子層，所述AlGaN三維子層包括層疊在所述有源層上或層疊在所述AlGaN復合層上的多個AlGaN島狀結構； 所述生長所述AlGaN復合層，包括： 向反應腔通入氨氣、Ga源、Al源與Mg源生長所述AlGaN三維子層，所述氨氣與所述Ga源的流量比為1000-2000，所述氨氣與所述Al源的流量比為500-1000； 向所述反應腔通入氨氣、Ga源、Al源與Mg源生長所述AlGaN覆蓋子層，所述氨氣與所述Ga源的流量比為100-200，所述氨氣與所述Al源的流量比為50-100； 向所述反應腔僅通入氨氣以生長所述AlGaN處理子層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華燦光電(蘇州)有限公司，其通訊地址為：215600 江蘇省蘇州市張家港市經濟開發區晨豐公路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。