買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州電子科技大學(xué)富陽電子信息研究院有限公司;杭州電子科技大學(xué)申請(qǐng)的專利低功耗高瞬態(tài)響應(yīng)無片外電容低壓差線性穩(wěn)壓器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114840051B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210485274.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G05F3/26；該發(fā)明授權(quán)低功耗高瞬態(tài)響應(yīng)無片外電容低壓差線性穩(wěn)壓器是由程知群;陳宇;樂超;周濤設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-06向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本低功耗高瞬態(tài)響應(yīng)無片外電容低壓差線性穩(wěn)壓器在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了低功耗高瞬態(tài)響應(yīng)無片外電容低壓差線性穩(wěn)壓器，其中柵極直流偏置網(wǎng)絡(luò)用于提供功率放大晶體管工作所需的柵極偏置電壓；漏極直流偏置網(wǎng)絡(luò)用于提供功率放大晶體管工作所需的漏極偏置電壓；輸入端阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)包括微帶線、隔直電容以及RC并聯(lián)電路；輸出端阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)包括諧波控制網(wǎng)絡(luò)和橢圓低通濾波匹配網(wǎng)絡(luò)，其中，諧波控制網(wǎng)絡(luò)選取通帶外的兩個(gè)頻率點(diǎn)進(jìn)行二次諧波控制；橢圓低通濾波匹配網(wǎng)絡(luò)基于一個(gè)六階切比雪夫低通濾波器改進(jìn)得到，在工作頻帶外產(chǎn)生兩個(gè)傳輸零點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)基波阻抗到二次諧波阻抗的轉(zhuǎn)換。本發(fā)明使得功率放大器在超五倍頻的工作帶寬內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率和高增益。

本發(fā)明授權(quán)低功耗高瞬態(tài)響應(yīng)無片外電容低壓差線性穩(wěn)壓器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低功耗高瞬態(tài)響應(yīng)無片外電容低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，包括直接驅(qū)動(dòng)型誤差放大器，N型功率輸出級(jí)、自適應(yīng)阻抗瞬態(tài)增強(qiáng)電路和補(bǔ)償電容，其中， 所述直接驅(qū)動(dòng)型誤差放大器包括兩個(gè)輸入端，該兩個(gè)輸入端分別直接連接參考電壓與所述N型功率輸出級(jí)中的電阻形成的反饋電壓節(jié)點(diǎn)，其輸出端連接到N型功率調(diào)整級(jí)的控制端，根據(jù)輸出電壓的反饋電壓與參考電壓之間的電壓差驅(qū)動(dòng)N型功率調(diào)整級(jí)； 所述N型功率輸出級(jí)，其輸入端直接連接直接驅(qū)動(dòng)型誤差放大器的輸出端，其輸出端為整個(gè)線性穩(wěn)壓器的輸出端； 所述自適應(yīng)阻抗瞬態(tài)增強(qiáng)電路，其輸入端直接連接直接驅(qū)動(dòng)型誤差放大器內(nèi)NMOS電流鏡的柵端，其輸出端直接連接N型功率輸出級(jí)的輸出端； 所述補(bǔ)償電容，其輸入端直接連接N型功率輸出級(jí)的電阻形成的反饋電壓節(jié)點(diǎn)，其輸出端直接連接N型功率輸出級(jí)的輸入端，與N型功率輸出級(jí)的反饋電阻電路構(gòu)成補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)； 所述直接驅(qū)動(dòng)型誤差放大器采用差分輸入、推挽輸出結(jié)構(gòu)，推挽輸出結(jié)構(gòu)產(chǎn)生軌對(duì)軌的電壓信號(hào)； 所述直接驅(qū)動(dòng)型誤差放大器采用改進(jìn)的OTA架構(gòu)，其在傳統(tǒng)OTA架構(gòu)基礎(chǔ)上，將其電流鏡改進(jìn)為非線性電流鏡，在二極管接法的MOS負(fù)載上并聯(lián)了交叉耦合對(duì)； 所述直接驅(qū)動(dòng)型誤差放大器包括1個(gè)參考電壓Vref，2個(gè)偏置電壓Vb、Vp，8個(gè)PMOS管：M4~M7、M11~M14，5個(gè)NMOS管：M1~M3、M8、M9，其中M1構(gòu)成NMOS尾電流源，M2、M3構(gòu)成NMOS差分對(duì)管，M4~M7、M11、M12構(gòu)成非線性電流鏡，M13、M14構(gòu)成交叉耦合對(duì)，當(dāng)電路處于靜止?fàn)顟B(tài)時(shí)，所有MOS管工作在飽和態(tài)，當(dāng)負(fù)載發(fā)生變化時(shí)，M3的柵壓發(fā)生變化，其中M4和M5將工作在線性區(qū)，實(shí)現(xiàn)電流鏡電流傳輸比的非線性化，其他MOS管仍處于飽和區(qū)； M1柵端接偏置電壓Vb，M2柵端接反饋電壓Vfb，M3柵端接參考電壓Vref，M11、M12柵端接偏置電壓Vp，M1、M8、M9源端接地端，M4-M7、M13、M14源端接直流電源陽極VDD，M1漏端與M2、M3源端相連，M2漏端與M11漏端、M4柵端、M6柵端、M14柵端相連，M3漏端與M12漏端、M5柵端、M7柵端、M13柵端相連，M4漏端與M11源端、M13漏端相連，M5漏端與M12源端、M14漏端相連，M6漏端與M8柵端、漏端相連，M7漏端與M9漏端相連； 所述N型功率輸出級(jí)包括1個(gè)NMOS功率調(diào)整管M10，2個(gè)多晶硅電阻R1、R2，三者共同構(gòu)成了NMOS共漏放大器，在輕載時(shí)，M10工作在亞閾值區(qū)，在重載時(shí)，M10工作在飽和區(qū)； 所述NMOS功率調(diào)整管M10的柵端為N型功率輸出級(jí)的控制端或輸入端，M10的漏端接直流電源陽極VDD，源端與電阻R1的上端相連，構(gòu)成輸出電壓節(jié)點(diǎn)Vo，電阻R1的下端與電阻R2的上端相連，構(gòu)成反饋電壓節(jié)點(diǎn)Vfb，電阻R2的下端接地端； 補(bǔ)償電容的陽極接直接驅(qū)動(dòng)型誤差放大器的輸出端，陰極接N型功率輸出級(jí)的反饋電壓節(jié)點(diǎn)Vo。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人杭州電子科技大學(xué)富陽電子信息研究院有限公司;杭州電子科技大學(xué)，其通訊地址為：311400 浙江省杭州市富陽區(qū)銀湖街道銀湖花苑3號(hào)樓三層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。