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龍圖騰網獲悉復旦大學申請的專利一種異質集成的人工視網膜憶阻器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115768252B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211489475.2，技術領域涉及：H10N79/00；該發明授權一種異質集成的人工視網膜憶阻器件及其制備方法是由孟佳琳;王天宇;陳琳;孫清清;張衛設計研發完成，并于2022-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種異質集成的人工視網膜憶阻器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種異質集成的人工視網膜憶阻器件及其制備方法。該異質集成的人工視網膜憶阻器件由兩片包含人工視網膜憶阻器的硅片背部相互貼合，實現硅?硅鍵合，互連與集成為異質集成的人工視網膜憶阻器件，上層人工視網膜憶阻器作為光電傳感單元，下層人工視網膜憶阻器作為存儲單元與處理單元，并且上層器件和下層器件均為環形結構，可獨立完成光信號采集、處理與存儲任務。相比于傳統的光學信號感知、處理與存儲單元，本發明的器件無需考慮傳感單元、存儲單元與計算單元間復雜的信號轉換與集成困難，極大程度提高了后摩爾時代芯片的工作效率與集成密度。

本發明授權一種異質集成的人工視網膜憶阻器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種異質集成的人工視網膜憶阻器件，其特征在于， 由兩片包含人工視網膜憶阻器的襯底硅背部相互貼合，實現硅-硅鍵合，互連與集成為異質集成的人工視網膜憶阻器件， 上層人工視網膜憶阻器作為光電傳感單元，下層人工視網膜憶阻器作為存儲單元與處理單元，并且上層器件和下層器件均可獨立完成光信號采集、處理與存儲任務， 其中，上層人工視網膜憶阻器下層人工視網膜憶阻器包括： 襯底硅，形成有第一凹槽； 第一隔離層，形成在所述第一凹槽的表面； 納米柱，彼此間隔分布在所述第一凹槽中，且其高度與第一凹槽的深度相同； 包覆電極，覆蓋所述第一隔離層表面和納米柱表面； 電阻轉變功能層，覆蓋所述包覆電極表面且延伸覆蓋第一凹槽兩側的襯底硅上表面； 光電感應層，形成在所述電阻轉變功能層表面，與電阻轉變功能層形成異質集成，用于實現光電信號的采集和處理； 中心電極，形成在所述光電感應層上，并完全填充第一凹槽，從而與包覆電極共同構成環形電極； 第二凹槽，位于第一凹槽邊緣的第一隔離層處，貫穿中心電極、光電感應層和電阻轉變功能層； 第二隔離層，填充于第二凹槽中； 通孔，貫穿中心電極、光電感應層、電阻轉變功能層、包覆電極、納米柱、第一隔離層和襯底硅； 互連線，填充于所述通孔中，底部與襯底硅底部持平，頂部位置超過中心電極的上表面，用于實現多層器件的互連； 第三凹槽，寬度與納米柱相同，貫穿中心電極、光電感應層、電阻轉變功能層、包覆電極、納米柱、第一隔離層和襯底硅； 第三隔離層的下部，填充于所述第三凹槽，底部與襯底硅底部持平，頂部高于包覆電極的最低點，而低于包覆電極的最高點； 外引互連點，形成在所述第三隔離層的下部的上方，與所述包覆電極相連接，從而引出包覆電極； 第三隔離層的上部，填充于所述第三凹槽，底部與外引互連點相接，頂部高超過中心電極的上表面，而低于互連線的頂部； 接觸電極，形成在填充于第一凹槽中的中心電極的上方，與環形電極共同作用于異質集成的光電感應層和電阻轉變功能層，在人工視網膜器件形成環形回路。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人復旦大學，其通訊地址為：200433 上海市楊浦區邯鄲路220號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。