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龍圖騰網(wǎng)獲悉魯東大學(xué)申請的專利一種Micro-LED的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115799406B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211505066.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)一種Micro-LED的制備方法是由朱亞丹;盧太平;張立春;王美山;梁豆豆;賀文偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-11-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種Micro-LED的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，提供一種Micro?LED的制備方法，屬于光電子器件領(lǐng)域，在刻蝕外延片形成陣列結(jié)構(gòu)后，采用低溫溶膠?凝膠法在刻蝕后的溝槽及側(cè)壁形成第一鈍化層。常規(guī)采用ALD、CVD工藝進行表面鈍化過程中，由于刻蝕后的外延片直接暴露于高溫、等離子體環(huán)境中，極易形成缺陷，本發(fā)明提供的方案采用低溫溶膠?凝膠法形成第一鈍化層，能夠避免由于刻蝕后的外延片直接暴露于高溫、等離子體環(huán)境中而形成的缺陷，且制備方法簡單，生產(chǎn)成本較低。

本發(fā)明授權(quán)一種Micro-LED的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種Micro-LED的制備方法，其特征在于：包括如下步驟： S1：制備LED外延片，所述外延片從下至上依次包括襯底、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層； S2：刻蝕LED外延片形成溝槽，刻蝕深度至第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，溝槽將外延片分成微型發(fā)光陣列； S3：在微型發(fā)光陣列的表面包括溝槽底部及側(cè)壁形成鈍化層，所述鈍化層包括第一鈍化層，第一鈍化層采用低溫溶膠-凝膠法形成； 所述鈍化層還包括第二鈍化層，第二鈍化層沉積在第一鈍化層的上表面； 所述第二鈍化層采用ALD、CVD、或者濺射工藝形成。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人魯東大學(xué)，其通訊地址為：264000 山東省煙臺市芝罘區(qū)紅旗中路186號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。