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龍圖騰網獲悉聯合微電子中心有限責任公司申請的專利一種高壓MOSFET器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115763258B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211525792.5，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種高壓MOSFET器件及其制作方法是由潘伯津;朱克寶;李仁雄;彭路露;寧寧設計研發完成，并于2022-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高壓MOSFET器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種高壓MOSFET器件及其制作方法，該方法包括以下步驟：形成第一堆疊結構、第二堆疊結構于半導體層上，第一堆疊結構位于高壓區并包括層疊的高壓區柵氧化層與第一硬掩膜層，第二堆疊結構位于核心區并包括層疊的核心區柵氧化層、多晶硅偽柵極層及第二、第三硬掩膜層；形成側壁保護層；形成研磨停止層及第一層間介質層并減薄直至顯露高壓區柵氧化層、多晶硅偽柵極層的頂面；替換多晶硅偽柵極以得到核心區金屬柵并對其進行CMP；形成補償氧化層及高壓區金屬柵。本發明在將多晶硅偽柵極替代為金屬柵極后，高壓區與核心區的膜層高度相差不大，不會影響核心區金屬柵CMP的負載，且后續通過重新鋪設補償氧化層可以補齊高壓區需求的EOT。

本發明授權一種高壓MOSFET器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種高壓MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供一半導體層，形成第一堆疊結構及第二堆疊結構于所述半導體層上，所述半導體層包括在水平方向上間隔設置的高壓區與核心區，所述第一堆疊結構位于所述高壓區并包括自下而上依次層疊的高壓區柵氧化層與第一硬掩膜層，所述第二堆疊結構位于所述核心區并包括自下而上依次層疊的核心區柵氧化層、多晶硅偽柵極層、第二硬掩膜層及第三硬掩膜層； 形成側壁保護層于所述第一堆疊結構的側壁及所述第二堆疊結構的側壁； 依次形成研磨停止層及第一層間介質層于所述半導體層上，所述研磨停止層覆蓋所述第一堆疊結構、所述第二堆疊結構及所述側壁保護層的裸露表面，所述第一層間介質層覆蓋所述研磨停止層，然后減薄所述第一層間介質層直至顯露所述高壓區柵氧化層的頂面及所述多晶硅偽柵極層的頂面； 去除所述多晶硅偽柵極以得到位于所述核心區并夾設于所述側壁保護層之間的凹槽； 形成核心區金屬柵于所述凹槽中，并對所述核心區金屬柵進行化學機械研磨； 形成補償氧化層于所述高壓區柵氧化層上，并形成高壓區金屬柵于所述補償氧化層上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人聯合微電子中心有限責任公司，其通訊地址為：401332 重慶市沙坪壩區沙坪壩西園一路28號附2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。