武漢光迅科技股份有限公司;湖北光谷實(shí)驗(yàn)室萬楓獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢光迅科技股份有限公司;湖北光谷實(shí)驗(yàn)室申請的專利一種EML芯片與測試方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN118336504B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202310034884.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01S5/00;該發(fā)明授權(quán)一種EML芯片與測試方法是由萬楓;熊永華設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2023-01-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種EML芯片與測試方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種EML芯片與測試方法,通過將EML芯片中調(diào)制器區(qū)的部分調(diào)制器去除,來作為測試電極中G電極的共用地線,將測試電極的G電極設(shè)置于去除調(diào)制器后暴露出來的襯底上,將S電極與G電極設(shè)置于調(diào)制器去,從而將測試電極集成于EML芯片上,并將薄膜電阻設(shè)置于G電極以及G電極與S電極之間填充層上,免去了對EML芯片的COC封裝過程,以及去除了COC封裝中金絲所帶來的電感電容誤差,并且在微波探針與S電極相接的同時通過切換微波探針與薄膜電阻的斷開或連接,從而進(jìn)行直流測試或者高頻測試。
本發(fā)明授權(quán)一種EML芯片與測試方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種EML芯片,其特征在于,包括:薄膜電阻1和測試電極4,其中: 所述EML芯片包括激光器區(qū)2和調(diào)制器區(qū)3,所述調(diào)制器區(qū)3包括調(diào)制區(qū)域31和測試區(qū)域32,所述測試電極4和所述薄膜電阻1均設(shè)置在所述測試區(qū)域32中; 所述調(diào)制區(qū)域31設(shè)置有調(diào)制電極7,所述調(diào)制電極7向靠近所述激光器區(qū)2的方向延展,所述測試電極4包括S電極41和G電極42,所述S電極41設(shè)置在所述調(diào)制電極7的側(cè)邊,所述S電極41與所述調(diào)制電極7連接,所述G電極42鄰近所述S電極41設(shè)置,所述薄膜電阻1的一端與所述G電極42連接,所述薄膜電阻1的另一端與所述S電極41之間存在預(yù)設(shè)間隔; 其中,在外部探針的作用下,所述薄膜電阻1的另一端與所述S電極41選擇性連接,以切換所述EML芯片的測試模式。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人武漢光迅科技股份有限公司;湖北光谷實(shí)驗(yàn)室,其通訊地址為:430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)流蘇南路1號(自貿(mào)區(qū)武漢片區(qū));或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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