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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利改善嵌入式中高壓器件工藝兼容性及可靠性的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116072612B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310111569.4，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權改善嵌入式中高壓器件工藝兼容性及可靠性的方法是由潘世友;張志剛;王奇偉設計研發完成，并于2023-02-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本改善嵌入式中高壓器件工藝兼容性及可靠性的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種改善嵌入式中高壓器件工藝兼容性及可靠性的方法，提供襯底，在所述襯底上形成犧牲氧化層，然后形成STI以定義出有源區，所述有源區上形成有第一至三器件區；在所述第二器件區上形成輕摻雜漏，之后在所述襯底上形成覆蓋所述第一至三器件區的硬掩膜層；在所述硬掩膜層上形成光刻膠層，光刻打開所述第二器件區上的所述光刻膠層，使得其下方的所述硬掩膜層裸露，刻蝕所述硬掩膜層使得所述第二器件區上的所述犧牲氧化層和部分所述STI裸露；刻蝕裸露的所述犧牲氧化層和所述STI，使得其臺階高度和形貌為預設值；回刻蝕裸露的所述STI和所述襯底至所需回刻蝕量。本發明能夠實現低壓和中壓器件物理形貌及其電性可靠性改善。

本發明授權改善嵌入式中高壓器件工藝兼容性及可靠性的方法在權利要求書中公布了：1.一種改善嵌入式中高壓器件工藝兼容性及可靠性的方法，其特征在于，至少包括： 步驟一、提供襯底，在所述襯底上形成犧牲氧化層，然后形成STI以定義出有源區，所述有源區上形成有第一器件區、第二器件區和第三器件區，其中，所述第一器件區為低壓器件區，所述第二器件區為中壓器件區，所述第三器件區為高壓器件區； 步驟二、在所述第二器件區上形成輕摻雜源漏，之后在所述襯底上形成覆蓋所述第一器件區、所述第二器件區和所述第三器件區的硬掩膜層； 步驟三、在所述硬掩膜層上形成光刻膠層，光刻打開所述第二器件區上的所述光刻膠層，使得其下方的所述硬掩膜層裸露，刻蝕所述硬掩膜層使得所述第二器件區上的所述犧牲氧化層和部分所述STI裸露； 步驟四、刻蝕裸露的所述犧牲氧化層和所述STI，使得其臺階高度和形貌為預設值； 步驟五、回刻蝕裸露的所述STI和所述襯底至所需回刻蝕量； 步驟六、刻蝕調節所述第二器件區上的臺階高度和形貌并去除所述硬掩膜層； 步驟七、在所述第一器件區、所述第二器件區上形成第一柵氧化層，之后去除所述第一器件區上的所述第一柵氧化層； 步驟八、在所述第一器件區上形成第二柵氧化層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區康橋東路298號1幢1060室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。