合肥工業大學于永強獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥工業大學申請的專利一種碳化硅納米空心柱陣列及基于其的日盲紫外探測器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115939261B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310124301.4，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種碳化硅納米空心柱陣列及基于其的日盲紫外探測器是由于永強;茆書明;崔英豪;陸夢雪;劉佳楊;張浩;孫洋洋設計研發完成，并于2023-02-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種碳化硅納米空心柱陣列及基于其的日盲紫外探測器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種碳化硅納米空心柱陣列及基于其的日盲紫外探測器，該碳化硅納米空心柱陣列是通過兩步無掩膜感應耦合等離子刻蝕方法而制成，該探測器的結構為：將碳化硅襯底的上表面刻蝕成碳化硅納米空心柱陣列，并以Ti3C2Tx薄膜和Ti3AlC2薄膜分別作為肖特基接觸電極和歐姆接觸電極。本發明所制備的探測器具有高質量的肖特基特性、高性能日盲紫外響應和易制備大面積器件等優點。
本發明授權一種碳化硅納米空心柱陣列及基于其的日盲紫外探測器在權利要求書中公布了：1.一種基于碳化硅納米空心柱陣列的日盲紫外探測器，其特征在于： 以N型碳化硅襯底3作為基底，在所述碳化硅襯底的上表面在無掩膜環境下通過ICP刻蝕形成有碳化硅納米空心柱陣列2；在所述碳化硅納米空心柱陣列2上旋涂有作為頂電極的Ti3C2T x 薄膜1；在所述碳化硅襯底3的下表面沉積有Ti3AlC2薄膜4；在所述Ti3AlC2薄膜下表面設置有底電極5；其中，所述Ti3C2T x 薄膜與所述碳化硅納米空心柱陣列形成肖特基結，所述Ti3AlC2薄膜與所述碳化硅襯底3形成歐姆接觸； 所述ICP刻蝕分兩步進行，每步的工藝條件為： 第一步刻蝕：真空倉壓強為5×10-3Pa、SF6的氣體流量為60sccm、O2的氣體流量為20sccm，ICP源功率為400W，偏壓源功率為80W，刻蝕時間為20-35min； 第二步刻蝕：真空倉壓強為5×10-3Pa、SF6的氣體流量為15sccm、O2的氣體流量為15sccm，ICP源功率為200W，偏壓源功率為100W，刻蝕時間為10-25min。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥工業大學，其通訊地址為：230009 安徽省合肥市包河區屯溪路193號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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