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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所申請(qǐng)的專利一種SOI MOS器件及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116344624B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310325989.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)一種SOI MOS器件及其制備方法是由劉強(qiáng);俞文杰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-03-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種SOI MOS器件及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種SOIMOS器件及其制備方法，所述SOIMOS器件包括：基底、偏置電極結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)、源區(qū)、漏區(qū)、柵極金屬層、源極金屬層及漏極金屬層，其中基底包括襯底、埋氧層、有源層、空腔及設(shè)置于空腔頂部的空腔口；偏置電極結(jié)構(gòu)包括覆蓋空腔內(nèi)壁的介電層、填充所述的導(dǎo)電層及與所述導(dǎo)電層電連接的偏置電極，介電層包裹導(dǎo)電層；柵極結(jié)構(gòu)包括柵極及柵介質(zhì)層；源區(qū)及漏區(qū)分別位于柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的有源層中；柵極金屬層、源極金屬層及漏極金屬層分別與柵極、源區(qū)、漏區(qū)電連接。本發(fā)明的SOIMOS器件及其制備方法通過(guò)偏置電極結(jié)構(gòu)的設(shè)置減小了SOIMOS器件的寄生電容，減少了漏電流，提高了器件的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種SOI MOS器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SOIMOS器件，其特征在于，包括： 基底，包括依次堆疊的襯底、埋氧層、有源層及空腔，所述空腔嵌于所述基底中且所述空腔的頂部與所述有源層的上表面間隔預(yù)設(shè)距離，所述空腔的頂部設(shè)有至少一個(gè)與外部連通的空腔口； 偏置電極結(jié)構(gòu)，包括覆蓋所述空腔內(nèi)壁的介電層、填充所述空腔的導(dǎo)電層及與所述導(dǎo)電層電連接的偏置電極，所述介電層包裹所述導(dǎo)電層； 柵極結(jié)構(gòu)，包括依次堆疊的柵極及柵介質(zhì)層，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述空腔的上方，且所述柵極結(jié)構(gòu)與所述空腔口之間間隔預(yù)設(shè)距離； 源區(qū)及漏區(qū)，分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)沿X方向的兩側(cè)的所述有源層中； 柵極金屬層、源極金屬層及漏極金屬層，所述柵極金屬層與所述柵極電連接，所述源極金屬層與所述源區(qū)電連接，所述漏極金屬層與所述漏區(qū)電連接。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，其通訊地址為：200050 上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。