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龍圖騰網獲悉中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利一種環柵晶體管器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116207155B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310336228.7，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權一種環柵晶體管器件及其制備方法是由劉強;俞文杰設計研發完成，并于2023-03-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種環柵晶體管器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種環柵晶體管器件及其制備方法，器件包括：襯底層、絕緣層、頂半導體層、第一柵極、第二柵極、源極、漏極，絕緣層與頂半導體層之間設置有凹槽，凹槽內設置有第一柵極，絕緣層的第一表面未設置第一柵極的位置設置預置電荷層，和或半導體凸臺與絕緣層接觸的表面設置預置電荷層。本發明通過設置預置電荷層在頂半導體層與絕緣層之間的第一柵極周圍，使環柵晶體管的溝道開關主要由全環繞柵控制，從而充分發揮環柵晶體管的性能優勢；同時利用先后注入離子形成納米晶，以進一步降低π型溝道對器件的控制；另外，配合對凹槽上方的頂半導體層的清洗，降低全環繞柵的溝道閾值電壓受預置電荷層的影響。

本發明授權一種環柵晶體管器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種環柵晶體管器件，其特征在于，所述環柵晶體管器件包括：襯底層、絕緣層、頂半導體層、第一柵極、第二柵極、源極、漏極； 所述絕緣層位于所述襯底層上方，所述頂半導體層位于所述絕緣層上方，所述絕緣層與所述頂半導體層之間設置有凹槽，所述凹槽不貫穿所述絕緣層；所述頂半導體層包括懸空溝道和半導體凸臺，所述凹槽兩側為所述半導體凸臺，所述半導體凸臺連接于所述懸空溝道，所述懸空溝道橫跨于所述凹槽上； 所述凹槽內設置有第一柵極，所述頂半導體層上方及側壁設置有第二柵極，所述第二柵極的長度大于所述第一柵極的長度； 所述絕緣層的第一表面未設置所述第一柵極的位置設置預置電荷層，和或所述半導體凸臺與所述絕緣層接觸的表面設置預置電荷層，所述預置電荷層用以調節其對應的溝道的閾值電壓； 所述懸空溝道兩端的所述頂半導體層分別設置有源區和漏區，所述源極設置于所述源區上方，所述漏極設置于所述漏區上方。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院上海微系統與信息技術研究所，其通訊地址為：200050 上海市長寧區長寧路865號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。