華南理工大學寧洪龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華南理工大學申請的專利一種高反射高導電多組元合金電極薄膜及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116607045B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310383411.2，技術領域涉及：C22C9/00；該發明授權一種高反射高導電多組元合金電極薄膜及其制備方法與應用是由寧洪龍;曾璇;姚日暉;彭俊彪;梁志豪;付鈺斌;郭晨瀟;劉丁榮;劉宇翔;鄧澤能設計研發完成，并于2023-04-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高反射高導電多組元合金電極薄膜及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明屬于新型電子器件制備技術領域,公開了一種高反射高導電多組元合金電極薄膜以及其制備方法與應用。所述合金電極薄膜為銅基合金，成分為：Cu?Cr?Zr?Ag，Cu元素的含量為99wt％?99.8wt％，Cr元素的含量為0.12wt％?0.3wt％，Zr元素的含量為0.05wt％?0.2wt％，Ag元素的含量為0.1wt％?0.2wt％。本發明通過銀元素的引入，既保留了高結合強度以及阻止劣化性擴散的特點。同時銀的加入優化了電極的導電性能，同時對于薄膜的表面形貌也起到了修飾作用，降低了表面粗糙度，提高了薄膜的反射率。同時，本發明采用雙靶位磁控共濺射方法沉積薄膜，可通過改變功率自由調控薄膜中各組元成分。
本發明授權一種高反射高導電多組元合金電極薄膜及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種高反射高導電多組元合金電極薄膜，其特征在于，所述合金電極薄膜為銅基合金，成分為：Cu-Cr-Zr-Ag，其中，Cu元素的含量為99wt％-99.8wt％，Cr元素的含量為0.12wt％-0.3wt％，Zr元素的含量為0.05wt％-0.2wt％，Ag元素的含量為0.1wt％-0.2wt％； 所述薄膜厚度為80nm-120nm，反射率≥60％，電阻率≤3μΩ·cm。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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