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龍圖騰網獲悉西北工業大學申請的專利一種核用高性能SiC_f/SiC復合材料及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118754693B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410981320.3，技術領域涉及：C04B35/80；該發明授權一種核用高性能SiC_f/SiC復合材料及其制備方法是由李曉強;朱文杰;鄭策;王宇杰;任育偉;衛沖;王生凱設計研發完成，并于2024-07-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種核用高性能SiC_f/SiC復合材料及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種核用高性能SiCfSiC復合材料及其制備方法，涉及復合材料技術領域。所述方法包括得到二維SiCfTi?Si?C?O纖維布；RMI工藝氣相滲硅得到SiCfTi3SiC2界面相二維纖維布；將SiCfTi3SiC2界面相二維纖維布浸漬在漿料懸浮液中，得到SiCfTi3SiC2界面TiC?TiO2纖維布；定型得到SiCfTi3SiC2界面TiC?TiO2預制體；將SiCfTi3SiC2界面TiC?TiO2預制體包埋在AlSi合金粉末中，采用RMI工藝液相滲硅在真空爐中1250~1450℃保溫30~60min，即得核用高性能SiCfSiC復合材料。本發明采用氣相與液相聯合逐次滲硅工藝既可以解決當前核用SiCfSiC復合材料氣密性差、熱導率低的問題，又可以進一步增強材料的抗輻照非晶化和損傷容限，提高SiCfSiC復合材料在反應堆服役過程中的結構強度，提升反應堆設計的安全裕量。

本發明授權一種核用高性能SiC_f/SiC復合材料及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種核用高性能SiCfSiC復合材料的制備方法，其特征在于，使用單一反應熔體滲透工藝依次制備得到復合材料界面相和基體相，包括以下步驟： 將二維SiC纖維布置于磁控濺射儀內，使用SiC靶材和TiO2靶材進行共濺射，在SiC纖維表面制得Ti-Si-C-O界面層，得到二維SiCfTi-Si-C-O纖維布； 將二維SiCfTi-Si-C-O纖維布轉移到多孔石墨平板上，隨后連同平板將二維SiCfTi-Si-C-O纖維布放置于石墨坩堝中，并在石墨坩堝底部鋪放Si粉，升溫至1450~1500℃，保溫30~60min，得到SiCfTi3SiC2界面相二維纖維布； 向糊精溶液中依次加入TiC、TiO2混合原料和Y2O3、Al2O3混合反應助劑，經球磨，得到漿料懸浮液； 將SiCfTi3SiC2界面相二維纖維布浸漬在漿料懸浮液中，得到SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2纖維布； 將SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2纖維布進行疊層堆放形成層狀預制體，對層狀預制體軸向施壓后，烘干后，得到SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2生坯； 將SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2生坯，在惰性氣氛或在真空條件下，于1200~1400℃處理2~4h，得到SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2預制體； 將SiCfTi3SiC2界面TiC-TiO2預制體包埋在AlSi合金粉末中，在真空爐中1250~1450℃保溫30~60min，制得Ti3SiC2改性的SiC基體相，即得核用高性能SiCfSiC復合材料。

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