中國科學院長春光學精密機械與物理研究所李龍響獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院長春光學精密機械與物理研究所申請的專利元件制造公差分配確定光學加工工藝參數方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120068473B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510544983.3,技術領域涉及:G06F30/20;該發明授權元件制造公差分配確定光學加工工藝參數方法是由李龍響;劉夕銘;李興昶;程強;張峰;張學軍設計研發完成,并于2025-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本元件制造公差分配確定光學加工工藝參數方法在說明書摘要公布了:本發明涉及光學加工技術領域,尤其涉及一種元件制造公差分配確定光學加工工藝參數方法,將工藝參數下產生的元件表面加工誤差表征成特征譜形式,將不同工藝參數的誤差特征譜組成集合,把誤差特征譜與元件標準表面一同在光學設計軟件中進行公差分析,得到需要嚴控的特征譜,將嚴控特征譜與特征譜集合進行比對,得到最優誤差特征譜對應的工藝參數就是最佳工藝參數。本發明有效解決了現有方法中無法確定滿足公差的加工方法的技術問題,為后續的加工提供理論基礎。
本發明授權元件制造公差分配確定光學加工工藝參數方法在權利要求書中公布了:1.一種元件制造公差分配確定光學加工工藝參數方法,其特征在于,包括: S1:確定光學系統的結構,在所述光學系統中確定需要控制加工誤差的光學元件,并確定對所述光學元件加工時的工藝參數空間; S2:根據步驟S1的工藝參數空間中的工藝參數,得到對應的誤差特征圖;對所述誤差特征圖進行多項式展開,得到加工所述光學元件時產生的對應的誤差特征譜; S3:將步驟S2得到的誤差特征譜添加到步驟S1中光學元件的表面后,對當前光學系統進行公差分析,公差分析后的誤差特征譜和設定的主要公差指標范圍的最大值的集合即為主要影響項數集合; 步驟S3包括:從所述誤差特征譜中,隨機選擇其中一個工藝參數對應的誤差特征譜;將選擇的誤差特征譜作為形式誤差特征譜添加到所述光學元件上,得到當前光學系統;設置主要公差指標范圍;根據所述主要公差指標范圍,對當前光學系統進行蒙特卡洛公差分析:根據所述主要公差指標范圍和所述形式誤差特征譜,通過下式確定所述主要影響項數集合: ; 其中,σ表示所述主要影響項數集合,Lfk表示第k項形式誤差特征譜,δk表示第k項形式誤差特征譜對應的主要公差指標范圍,MC·表示蒙特卡洛分析函數,表示取前η個最大值時對應的η個形式誤差特征譜的項數; S4:根據步驟S3得到的主要影響項數集合,所述誤差特征譜中的最小值即為最優誤差特征譜,所述最優誤差特征譜對應的工藝參數即為最優工藝參數。
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