湘潭大學王金斌獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湘潭大學申請的專利一種帶有保護環結構的核輻射探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120334991B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510820508.4，技術領域涉及：G01T1/24；該發明授權一種帶有保護環結構的核輻射探測器及其制備方法是由王金斌;王許琛;戴偉;鐘向麗;宋宏甲;伏釗設計研發完成，并于2025-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種帶有保護環結構的核輻射探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種帶有保護環結構的核輻射探測器及其制備方法，涉及半導體器件技術領域，包括探測器主體，所述探測器主體頂面設有陽極，所述探測器主體底面設有陰極；其中，所述陽極包括陽面平面電極以及設置在所述陽面平面電極周圍的保護環電極，所述陽面平面電極和所述保護環電極之間設有氧化層；所述陰極為陰面平面電極，所述陰面平面電極和所述陽面平面電極對稱設置。本發明所開發的保護環電極結構利用其與陽極中心電極間產生的橫向電場，將電子從邊緣位置推送至中心電極，從而改善整體載流子特性，并在宏觀尺度表現出器件表面漏電流減小與能量分辨率提高。
本發明授權一種帶有保護環結構的核輻射探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種帶有保護環結構的核輻射探測器，其特征在于，包括探測器主體，所述探測器主體頂面設有陽極，所述探測器主體底面設有陰極； 其中，所述陽極包括陽面平面電極以及設置在所述陽面平面電極周圍的保護環電極，所述陽面平面電極和所述保護環電極之間設有氧化層； 所述陰極為陰面平面電極和設置在所述陰面平面電極周圍的氧化層，所述陰面平面電極和所述陽面平面電極對稱設置； 所述氧化層的電阻率大于1012Ω·cm； 所述探測器主體為長方體，所述頂面和所述底面為正方形；所述陽面平面電極為正方形，且邊長不小于所述底面正方形邊長的12。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湘潭大學，其通訊地址為：411105 湖南省湘潭市雨湖區湘潭大學；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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