買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中國計量大學(xué)申請的專利一種用于雷達成像的雙頻帶高增益超表面天線獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120357192B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510846625.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01Q15/00；該發(fā)明授權(quán)一種用于雷達成像的雙頻帶高增益超表面天線是由朱武富;肖丙剛設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種用于雷達成像的雙頻帶高增益超表面天線在說明書摘要公布了：本方案提供用于雷達成像的雙頻帶高增益超表面天線，包括自上而下依次設(shè)置的超表面層、第一介質(zhì)層、微帶貼片層、第二介質(zhì)層以及接地層，其中超表面層為由多個矩形貼片排列成菱形構(gòu)成的貼片組，位于貼片組的對角線上的矩形貼片上刻蝕有同于貼片組的對角線的縫隙；其中微帶貼片層包括SIW腔體，位于SIW腔體底部的饋電線，且SIW腔體的頂部的金屬面為含T型功分器的頂部微帶貼片；第二介質(zhì)層上對應(yīng)微帶貼片層的區(qū)域設(shè)有SIW陣列通孔和中心短路通孔組，具有寬帶寬、高增益、低旁瓣和良好的帶外抑制效果，適用于雷達成像的高速通信和目標檢測。

本發(fā)明授權(quán)一種用于雷達成像的雙頻帶高增益超表面天線在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于雷達成像的雙頻帶高增益超表面天線，其特征在于，包括：自上而下依次設(shè)置的超表面層（10）、第一介質(zhì)層（20）、微帶貼片層（30）、第二介質(zhì)層（40）以及接地層（50），第一介質(zhì)層（20）設(shè)計為矩形形狀，超表面層（10）的貼片組（11）的菱形邊同第一介質(zhì)層（20）的矩形邊傾斜角度設(shè)置，貼片組（11）的中心同第一介質(zhì)層的中心重疊，其中超表面層（10）為由多個矩形貼片（111）排列成菱形構(gòu)成的貼片組（11），貼片組（11）的矩形貼片包括大小不均等的第一矩形貼片、第二矩形貼片和第三矩形貼片，其中第一矩形貼片、第二矩形貼片和第三矩形貼片的尺寸不同，第一矩形貼片和第三矩形貼片為正方形，第二矩形貼片為長度邊同于第一矩形貼片的邊長，寬度邊同于第三矩形貼片的邊長的長方形，位于貼片組（11）的對角線上的矩形貼片（111）上刻蝕有同于貼片組（11）的對角線的縫隙；其中微帶貼片層（30）包括SIW腔體（33），位于SIW腔體（33）底部的饋電線（31），且SIW腔體（33）的頂部的金屬面為含T型功分器的頂部微帶貼片（32）；第二介質(zhì)層（40）上對應(yīng)微帶貼片層（30）的區(qū)域設(shè)有SIW陣列通孔（42）和中心短路通孔組（41）。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國計量大學(xué)，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市下沙高教園區(qū)學(xué)源街258號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。