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龍圖騰網獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114446789B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011214352.9，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體結構及其制備方法是由許超奇;陳淑嫻;馬春霞設計研發完成，并于2020-11-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體制備方法，包括：提供襯底；于襯底上形成阱區，于阱區內形成第一摻雜區，并于第一摻雜區表面形成第二摻雜區；刻蝕第二摻雜區所在襯底以形成引出區溝槽和窗口溝槽；于引出區溝槽的側壁及底壁和窗口溝槽的側壁上形成多晶材料層，多晶材料層填滿引出區溝槽形成引出結構；刻蝕窗口溝槽的側壁上的多晶材料層至指定深度以形成柵極多晶。多晶材料層只形成于窗口溝槽的側壁上，無需在完整填充窗口溝槽后再將中心部位的多晶材料層去除，在本申請中，窗口溝槽內的多晶材料層在形成伊始就已經與最后形成的柵極多晶的厚度一致，對于多晶材料層的刻蝕改變的是多晶材料層的高度，徹底解決了多晶材料層的回刻問題。

本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體制備方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 于所述襯底內形成阱區，于所述阱區的上表層至少形成第一摻雜區，所述阱區與所述第一摻雜區的導電類型不同； 刻蝕所述襯底以形成從襯底表面貫穿所述第一摻雜區并延伸至所述阱區內的引出區溝槽和窗口溝槽，所述引出區溝槽和所述窗口溝槽連通，并于所述引出區溝槽的側壁及底壁、所述窗口溝槽的側壁及底壁上形成柵氧層； 于所述引出區溝槽內填充滿多晶材料層以形成引出結構，并于所述窗口溝槽的側壁上形成多晶材料層，所述引出區溝槽內的多晶材料層與所述窗口溝槽的側壁上的多晶材料層電連接； 于所述第一摻雜區的上表層形成第二摻雜區，于所述窗口溝槽的底部形成第三摻雜區，所述第二摻雜區、所述第三摻雜區與所述第一摻雜區的導電類型相同； 回刻所述窗口溝槽的側壁上的所述多晶材料層至指定深度以形成柵極多晶； 將所述第二摻雜區、所述第三摻雜區和所述引出結構引出形成器件，所述第二摻雜區為漏端，所述第三摻雜區為源端，所述引出結構為柵極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫華潤上華科技有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市國家高新技術產業開發區新洲路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。