TCL科技集團股份有限公司郭煜林獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉TCL科技集團股份有限公司申請的專利氫化氧化鋅納米材料及其制備方法、薄膜以及光電器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115394943B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110564800.6，技術領域涉及：H10K50/16；該發明授權氫化氧化鋅納米材料及其制備方法、薄膜以及光電器件是由郭煜林;吳龍佳;張天朔;李俊杰;童凱設計研發完成，并于2021-05-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本氫化氧化鋅納米材料及其制備方法、薄膜以及光電器件在說明書摘要公布了：本申請公開了一種氫化氧化鋅納米材料及其制備方法、薄膜與光電器件，氫化氧化鋅納米材料包括氫化氧化鋅納米顆粒，氫化氧化鋅納米顆粒是將氧化鋅納米顆粒部分還原獲得，即向氧化鋅納米顆粒中引入氫原子，氫原子可作為鈍化劑以用于鈍化氧化鋅納米顆粒的表面缺陷，從而抑制氧缺陷的形成，進而使得氫化氧化鋅納米顆粒在波長為500納米至600納米的范圍內的缺陷發光峰的熒光強度，比氧化鋅納米顆粒在相同位置處的缺陷發光峰的熒光強度至少減弱17％，氫化氧化鋅納米材料可以用于制備光電器件，例如可以作為量子點發光器件的電子傳輸層，有利于提高有效載流子的濃度及導電性能，從而提高電子?空穴復合效率，進而提升光電器件的發光性能和發光穩定性。
本發明授權氫化氧化鋅納米材料及其制備方法、薄膜以及光電器件在權利要求書中公布了：1.一種氫化氧化鋅納米材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供氧化鋅納米顆粒，向所述氧化鋅納米顆粒中加入包含還原劑的有機溶液以進行氫化還原反應，其中所述氧化鋅納米顆粒與所述還原劑的摩爾比為1.0：0.1～1.0，獲得含有氫化氧化鋅的反應液；以及 對所述含有氫化氧化鋅的反應液進行固液分離處理，獲得所述氫化氧化鋅納米顆粒； 其中，所述氫化氧化鋅納米顆粒在波長為500納米至600納米的范圍內的缺陷發光峰的熒光強度，比所述氧化鋅納米顆粒在相同位置處的缺陷發光峰的熒光強度至少減弱17%；所述氫化還原反應的反應溫度為50攝氏度至70攝氏度，反應時間為0.5小時至4小時； 所述還原劑為硼氫鹽、抗壞血酸、硫化鹽以及亞硫酸鹽中的至少一種。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人TCL科技集團股份有限公司，其通訊地址為：516006 廣東省惠州市仲愷高新區惠風三路17號TCL科技大廈；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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