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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115708206B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110956294.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/544；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法是由劉志拯設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-08-19向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底、導(dǎo)電圖案層、支撐層以及重布線層。導(dǎo)電圖案層設(shè)置于襯底上。支撐層覆蓋導(dǎo)電圖案層，且具有過孔。重布線層設(shè)置于支撐層上，重布線層包括：至少位于過孔內(nèi)的測試焊盤。測試焊盤包括相間設(shè)置且互連的多個(gè)測試接觸部和多個(gè)凹部，其中，所述凹部與導(dǎo)電圖案層的位于過孔內(nèi)的部分對(duì)應(yīng)接觸。本公開提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，不僅可以避免半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率因晶圓驗(yàn)收測試受損，還有利于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)尺寸的進(jìn)一步微縮。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于， 包括： 襯底； 導(dǎo)電圖案層，設(shè)置于所述襯底上； 支撐層，覆蓋所述導(dǎo)電圖案層，且具有過孔； 以及，重布線層，設(shè)置于所述支撐層上；所述重布線層包括：至少位于所述過孔內(nèi)的測試焊盤；所述測試焊盤包括相間設(shè)置且互連的多個(gè)測試接觸部和多個(gè)凹部，其中，所述凹部與所述導(dǎo)電圖案層的位于所述過孔內(nèi)的部分對(duì)應(yīng)接觸； 其中，相鄰兩個(gè)所述測試接觸部頂部之間的間隙小于相鄰兩個(gè)所述測試接觸部底部之間的間隙。

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