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龍圖騰網(wǎng)獲悉之江實驗室申請的專利一種基于三維DRAM內(nèi)存控制器的訪存性能提升方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114637467B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210231738.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F3/06；該發(fā)明授權(quán)一種基于三維DRAM內(nèi)存控制器的訪存性能提升方法是由劉炫志;楊建國設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-03-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于三維DRAM內(nèi)存控制器的訪存性能提升方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于三維DRAM內(nèi)存控制器的訪存性能提升方法，提出針對新型的大位寬三維DRAM的界面緩存機制和行命中處理機制；如果用戶訪存請求命中了已緩存于界面緩存器的數(shù)據(jù)，則該次訪存可以直接由界面緩存器響應(yīng)；如果用戶訪存請求未命中界面緩存但發(fā)生了行命中，則該次訪存可以由內(nèi)存控制器執(zhí)行少量的DRAM存儲陣列操作來響應(yīng)；如果用戶訪存請求同時發(fā)生界面緩存缺失和行缺失，則該次訪存可以由內(nèi)存控制器執(zhí)行常規(guī)的DRAM存儲陣列操作來響應(yīng)。本發(fā)明可以有效減少內(nèi)存控制器對DRAM存儲陣列的操作次數(shù)以及減少數(shù)據(jù)進出DRAM存儲陣列的頻率，從而降低運算單元對所需數(shù)據(jù)的訪存延遲，提升訪存性能并降低訪存功耗。

本發(fā)明授權(quán)一種基于三維DRAM內(nèi)存控制器的訪存性能提升方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于三維DRAM內(nèi)存控制器的訪存性能提升方法，其特征在于，具體為：內(nèi)存控制器在初始狀態(tài)下接收到訪存請求，判斷該訪存請求是寫請求還是讀請求，并根據(jù)判斷結(jié)果分別通過界面緩存機制和行命中處理機制執(zhí)行寫請求處理流程或讀請求處理流程； 所述界面緩存機制和行命中處理機制具體為；如果用戶訪存請求命中了已緩存于界面緩存器的數(shù)據(jù)，則該次訪存直接由界面緩存器響應(yīng)；如果用戶訪存請求未命中界面緩存但發(fā)生了行命中，則該次訪存只需要內(nèi)存控制器對DRAM存儲陣列執(zhí)行一條讀指令或?qū)懼噶顏眄憫?yīng)；如果用戶訪存請求同時發(fā)生界面緩存缺失和行缺失，則該次訪存由內(nèi)存控制器執(zhí)行DRAM存儲陣列操作來響應(yīng)。

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